基本情報

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中村 芳明

NAKAMURA Yoshiaki


キーワード

量子ドット、ナノ構造、半導体、熱電材料、分子線エピタキシー

URL

http://www.adv.ee.es.osaka-u.ac.jp/

所属組織 【 表示 / 非表示

  • 2008年10月01日 ~ 2015年03月31日,基礎工学研究科 システム創成専攻,准教授,専任

  • 2015年04月01日 ~ 継続中,基礎工学研究科 システム創成専攻,教授,専任

学歴 【 表示 / 非表示

東京大学 工学部 物理工学科 卒業 学士 1997年03月
東京大学 工学系研究科 物理工学専攻 修了 修士 1999年03月
東京大学 工学系研究科 物理工学専攻 修了 工学博士 2002年03月

職歴 【 表示 / 非表示

東京大学・助手 2002年04月 ~ 2007年03月
東京大学・助教 2007年04月 ~ 2008年09月
大阪大学・准教授 2008年10月 ~ 2015年03月

所属学会 【 表示 / 非表示

  • 応用物理学会

  • 日本表面科学会

  • 日本物理学会

  • 日本金属学会

 

論文 【 表示 / 非表示

  • Epitaxial Growth of High Quality Ge Films on Si(001) Substrates by Nanocontact Epitaxy,Yoshiaki Nakamura, Akiyuki Murayama, and Masakazu Ichikawa,Crystal Growth & Design,11, 3301,2011年06月,学術論文

  • Nanocontact heteroepitaxy of thin GaSb and AlGaSb films on Si substrates using ultrahigh-density nanodot seeds,Yoshiaki Nakamura, Takafumi Miwa and Masakazu Ichikawa,Nanotechnology,22 265301,2011年05月,学術論文

  • Self-organized formation and self-repair of a two-dimensional nanoarray of Ge quantum dots epitaxially grown on ultrathin SiO2-covered Si substrates,Yoshiaki Nakamura, Akiyuki Murayama, Ryoko Watanabe, Tomokazu Iyoda and Masakazu Ichikawa,Nanotechnology,21 095305,2010年02月,学術論文

  • Observation of the quantum-confinement effect in individual Ge nanocrystals on oxidized Si substrates using scanning tunneling spectroscopy,Yoshiaki Nakamura, Kentaro Watanabe, Yo Fukuzawa, and Masakazu Ichikawa,Appl. Phys. Lett. 87, 13, 133119-1-3.,2005年09月,学術論文

  • (Invited) High density Iron silicde nanodots formed by ultrathin SiO2 film technique,Yoshiaki Nakamura,IUMRS-ICA 2011, Taipei, September, 2011,2011年09月,国際会議(proceedingsあり)

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著書 【 表示 / 非表示

  • 専門著書, Formation of Ultrahigh Density Quantum Dots Epitaxially Grown on Si Substrates Using Ultrathin SiO2 Film Technique, STATE-OF-THE-ART OF QUANTUM DOT SYSTEM FABRICATIONS, CAPTER 6, jointly worked,Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa,INTECH,ISBN,978-953-51-0649-4,2012年06月

  • 専門著書,フォノンエンジニアリング~マイクロ・ナノスケールの次世代熱制御技術~,塩見 淳一郎, 他23名,(株)エヌ・ティー・エス,ISBN,978-4-86043-509-7 ,2017年09月

  • 専門著書,シリサイド系半導体ナノ構造 (3.7節),中村 芳明,裳華房,ISBN,978-4-7853-2920-4,2014年09月

特許・実用新案・意匠 【 表示 / 非表示

  • 日本,シリコンウェーハ及びその製造方法,須藤治生,荒木浩司,泉妻宏治,竹内正太郎,中村芳明,酒井朗,2016-124758(公開),2015年01月

  • 日本,熱電材料及びその製造方法並びにそれを用いた熱電変換モジュール,中村芳明 他,特願2012-124940(出願),2012年05月

  • 日本,鉄シリサイド強磁性体デバイスの製造方法,中村芳明、市川昌和、福田憲二郎,特開2009-26847(公開),2007年07月

  • 日本,GeSn半導体の製造方法,中村芳明、市川昌和、正田明子,特開2007-294778(公開),2006年04月

  • 日本,半導体デバイスの製造方法,市川昌和、中村芳明,特開2005-303249(公開),2004年03月

受賞 【 表示 / 非表示

  • 第20回応用物理学会講演奨励賞,中村芳明,応用物理学会,2006年03月

  • Young scientist award at 9th international workshop on Desorption Induced by Electronic Transitions,Yoshiaki Nakamura,The organizier of 9th international workshop on Desorption Induced by Electronic Transitions,2002年02月

報道 【 表示 / 非表示

  • シリコン 熱伝導 1/200,日経産業新聞,2015年07月

  • Article highlighted by Advances in Engineering, Canada,Advances in Engineering, Canada,2013年11月

 

会議運営 【 表示 / 非表示

  • 国際会議,ACSIN-12 & ICSPM21,プログラム委員セッション責任者、会計幹事(主),2013年11月

  • 国際会議,Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2013),会計幹事,2013年07月

  • 国際会議,Asia-Pasific Conference on Semiconduting Silicides and Related materials Science and Technology Towards Optoelectronics,2010年07月

  • 国際会議,9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures,2007年11月

学外運営 【 表示 / 非表示

  • 公益法人,公益社団法人 応用物理学会 薄膜表面分科会,常任幹事 会計,2011年04月 ~ 2013年03月

  • 学会,公益社団法人 応用物理学会 薄膜表面分科会,幹事,2010年04月 ~ 継続中

  • 学会,公益社団法人 応用物理学会 シリサイド系半導体と関連物質研究会,幹事,2007年04月 ~ 継続中