所属組織 【 表示 / 非表示 】
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1998年05月01日 ~ 2003年03月31日,工学研究科,助教授,専任
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2003年04月01日 ~ 2007年03月31日,工学研究科 附属原子分子イオン制御理工学センター,助教授,専任
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2007年04月01日 ~ 2013年03月31日,工学研究科 附属原子分子イオン制御理工学センター,准教授,専任
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2013年04月01日 ~ 2013年04月15日,工学研究科 附属アトミックデザイン研究センター,准教授,専任
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2013年04月16日 ~ 継続中,工学研究科 附属アトミックデザイン研究センター,准教授,専任
学歴 【 表示 / 非表示 】
大阪大学 工学部 応用物理学科 卒業 | 1981年03月 | |
大阪大学 工学研究科 応用物理学専攻 修了 | 工学修士 | 1983年03月 |
大阪大学 工学研究科 応用物理学専攻 修了 | 工学博士 | 1986年03月 |
職歴 【 表示 / 非表示 】
大阪大学助手 | 1986年04月 ~ 1996年06月 |
大阪大学助教授 | 1996年07月 ~ 2007年03月 |
大阪大学准教授 | 2007年04月 ~ 継続中 |
研究内容・専門分野 【 表示 / 非表示 】
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水素プラズマの応用(水素製造プロセスの研究など)
プラズマ科学関連,地球資源工学およびエネルギー学関連 -
プロセス計測・制御技術の開発
半導体、光物性および原子物理関連,計測工学関連,プラズマ科学関連 -
プロセスプラズマの生成装置および表面処理技術の開発
プラズマ科学関連,薄膜および表面界面物性関連
論文 【 表示 / 非表示 】
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Production of low-energy fragment-ion beams from hexamethyldisiloxane and the irradiation of SiO+ ion beam to substrates with supplemental oxygen gas for SiO2 film formation,S. Yoshimura, S. Sugimoto, T. Takeuchi, M. Kiuchi,Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B,Vol. 479, pp. 13-17,2020年09月,学術論文
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Characteristics of films deposited by the irradiation of GeCHx+ ions produced from hexamethyldigermane and their dependence on the injected ion energy,S. Yoshimura, S. Sugimoto, T. Takeuchi, K. Murai, M. Kiuchi,Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B,Vol. 461, pp. 1-5,2019年12月,学術論文
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Effects of injected ion energy on silicon carbide film formation by low-energy SiCH3+ beam irradiation,S. Yoshimura, S. Sugimoto, T. Takeuchi, K Murai, M. Kiuchi,Thin Solid Films,Vol. 685, pp. 408-413.,2019年09月,学術論文
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Low-energy mass-selected ion beam deposition of silicon carbide with Bernas-type ion source using methylsilane,S. Yoshimura, S. Sugimmoto, T. Takeuchi, K. Murai, M. Kiuchi,AIP Advances,Vol. 9, 095051,2019年09月,学術論文
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Identification of fragment ions produced from hexamethyldigermane and the production of low-energy beam of fragment ion possessing Ge-C bond,S. Yoshimura, S. Sugimoto, T. Takeuchi, M. Kiuchi,AIP Advances,Vol. 9, 025008 (2019),2019年02月,学術論文
特許・実用新案・意匠 【 表示 / 非表示 】
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日本,カーボンナノチューブ形成装置、カーボンナノチューブ形成方法,杉本敏司、川瀬智之、他6名,4919272(登録),2006年08月,2012年02月
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日本,炭化ケイ素膜の形成方法,阿川義昭、木内正人、杉本敏司,4674777(登録),2000年08月,2011年02月
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日本,成膜方法,阿川義昭、後藤誠一、木内正人、杉本敏司,4284438(登録),2003年03月,2009年04月
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日本,高分子フィルムの表面処理方法及び表面処理装置、当該処理方法により処理された高分子フィルム並びに高分子系複合フィルム,木内正人、杉本敏司、後藤誠一 他,4193040(登録),2003年01月,2008年10月
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日本,金属構造体内面への皮膜形成方法,杉本敏司、他2名,特許公開2007-302955(公開),2006年05月
その他の活動 【 表示 / 非表示 】
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(独)産総研外来研究員(客員研究員),2005年04月 ~ 2006年03月
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産業技術総合研究所 客員研究員,2004年04月 ~ 2005年03月
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学会誌編集委員幹事,2002年07月 ~ 2004年12月