基本情報

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阿保 智

ABO Satoshi


キーワード

半導体工学、荷電ビーム工学

メールアドレス

メールアドレス

電話番号

06-6850-8386

FAX番号

06-6850-6341

性別

男性

所属組織 【 表示 / 非表示

  • 2004年04月01日 ~ 2005年03月31日,極限科学研究センター,特任助手,専任

  • 2005年04月01日 ~ 2006年03月31日,極限科学研究センター,特任助手(常勤),専任

  • 2006年04月01日 ~ 2007年03月31日,極限量子科学研究センター,特任助手(常勤),専任

  • 2007年04月01日 ~ 2007年07月31日,極限量子科学研究センター,特任助教(常勤),専任

  • 2007年08月01日 ~ 2014年03月31日,極限量子科学研究センター,助教,専任

  • 2014年04月01日 ~ 継続中,基礎工学研究科 附属極限科学センター,助教,専任

学歴 【 表示 / 非表示

大阪大学 基礎工学部 電気工学科 卒業 学士 1999年03月
大阪大学 基礎工学研究科 物理系専攻 修了 修士 2001年03月
大阪大学 基礎工学研究科 物理系専攻 修了 博士 2004年03月

職歴 【 表示 / 非表示

大阪大学・極限科学研究センター・特任助手 2004年04月 ~ 2005年03月
大阪大学・極限科学研究センター・特任助手(常勤) 2005年04月 ~ 2006年03月
大阪大学・極限量子科学研究センター・特任助手(常勤) 2006年04月 ~ 2007年03月
大阪大学・極限量子科学研究センター・特任助教(常勤) 2007年04月 ~ 2007年07月
大阪大学・極限量子科学研究センター・助教 2007年08月 ~ 2014年03月
大阪大学・大学院基礎工学研究科附属極限科学センター・助教 2014年04月 ~ 継続中
量子科学技術研究開発機構・協力研究員 2017年05月 ~ 2018年03月

研究内容・専門分野 【 表示 / 非表示

  • 半導体工学、量子ビーム工学
    電子デバイスおよび電子機器関連,電気電子材料工学関連

所属学会 【 表示 / 非表示

  • 応用物理学会

  • 日本MRS

 

論文 【 表示 / 非表示

  • Experimental verification of the origin of positive linear magnetoresistance in CoFe(V1-xMnx)Si Heusler alloys,S. Yamada, S. Kobayashi, A. Masago, L. S. R. Kumara, H. Tajiri, T. Fukushima, S. Abo, Y. Sakuraba, K. Hono, T. Oguchi, K. Hamaya,Physical Review B,100 195137,2019年11月,学術論文

  • Great differences between low-temperature grown Co2FeSi and Co2MnSi films on single-crystalline oxides,Kohei Kudo, Yasunari Hamazaki, Shinya Yamada, Satoshi Abo, Yoshihiro Gohda, Kohei Hamaya,ACS Applied Electronic Materials,1 2371-2379,2019年11月,学術論文

  • Tertiary electrons in single-event time-of-flight Rutherford backscattering spectrometry,Satoshi Abo, Albert Seidl, Fujio Wakaya, Mikio Takai,Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B,456 12-15,2019年10月,学術論文

  • Measurement of the Lateral Charge Distribution in Silicon Generated by High-Energy Ion Incidence,Satoshi Abo, Kenichi Tani, Fujio Wakaya, Shinobu Onoda, Yuji Miyato, Hayato Yamashita, Masayuki Abe,Proceedings of 22nd International Conference on Ion Implantation Technology (IIT2018), 16-21,2019年08月,学術論文

  • Simulation of fine focus time-of-flight Rutherford backscattering spectrometry using TRIM backscattering data,Albert Seidl, Satoshi Abo, Mikio Takai,Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B,450 163-167,2019年07月,学術論文

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会議運営 【 表示 / 非表示

  • 国際会議,第11回 宇宙用半導体素子の照射効果に関する国際会議 実行委員,実行委員,2015年11月

  • 国際会議,第10回 宇宙用半導体素子の照射効果に関する国際会議,実行委員,2012年12月

  • 国際会議,第9回宇宙用半導体素子放射線影響国際ワークショップ,実行委員,2010年10月