基本情報

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木﨑 栄年

KIZAKI Hidetoshi


キーワード

第一原理計算、密度汎関数理論、磁性、半導体、希薄磁性半導体、表面科学、固液界面シミュレーション、自動車触媒、燃料電池触媒

URL

https://www.researchgate.net/profile/Hidetoshi_Kizaki/?ev=prf_highl

性別

男性

所属組織 【 表示 / 非表示

  • 2005年09月01日 ~ 2006年03月31日,理学研究科 物理学専攻,特任研究員,専任

  • 2007年09月01日 ~ 2008年03月31日,ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構,特任研究員,専任

  • 2008年04月01日 ~ 2012年03月31日,基礎工学研究科 物質創成専攻,特任研究員,専任

  • 2012年04月01日 ~ 2014年03月31日,工学研究科 精密科学・応用物理学専攻,特任助教(常勤),専任

  • 2014年04月01日 ~ 継続中,工学研究科 情報広報室,助教,専任

  • 2014年04月01日 ~ 継続中,工学研究科 精密科学・応用物理学専攻,助教,兼任

学歴 【 表示 / 非表示

大阪大学 基礎工学研究科  修了 博士(理学) 2008年03月

職歴 【 表示 / 非表示

大阪大学大学院理学研究科物理学専攻特任研究員 2005年09月 ~ 2006年03月
大阪大学産業科学研究所21COEリサーチアシスタント 2006年07月 ~ 2007年03月
大阪大学ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構特任研究員 2007年09月 ~ 2008年03月
大阪大学大学院基礎工学研究科物質創成専攻特任研究員 2008年04月 ~ 2012年03月
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻 特任助教(常勤) 2012年04月 ~ 2014年03月
京都大学 実験と理論計算科学のインタープレイによる触媒・電池の元素戦略研究拠点ユニット拠点助教(兼任) 2013年07月 ~ 継続中

研究内容・専門分野 【 表示 / 非表示

  • 第一原理計算、密度汎関数理論、磁性、半導体、希薄磁性半導体、表面科学、固液界面シミュレーション、自動車触媒、燃料電池触媒
    数理物理および物性基礎関連,数理物理および物性基礎関連,ナノ材料科学関連,ナノ構造化学関連

所属学会 【 表示 / 非表示

  • 日本物理学会

  • 応用物理学会

  • 日本表面科学会

 

論文 【 表示 / 非表示

  • Epitaxial Growth and Characterization of Cr-doped ZnSnAs2 Thin Films on InP Substrates,H. Oomae, K. Sato, M. Shinoda, M. I. Faris bin Ishak, H. Toyota, S. Akabori, H. Kizaki, S. Nakamura, J. T. Asubar, N. Uchitomi,Jpn. J. Appl. Phys,59, 030601-1−6,2020年03月,学術論文

  • First-principles theoretical study on carrier doping effects induced by Zn vacancies in Mn-doped in ZnSnAs2,Hidetoshi Kizaki, and Yoshitada Morikawa,Jpn. J. Appl. Phys,58, 110601-1−6,2019年10月,学術論文

  • Mechanistic Analysis of Oxygen Vacancy Formation and Ionic Transport in Sr3Fe2O7-d,Tadashi Ota, Hidetoshi Kizaki, and Yoshitada Morikawa,J. Phys. Chem. C,122, 8, 4172−4181,2018年02月,学術論文

  • First-principles Study of ZnSnAs2-Based Dilute Magnetic Semiconductors,Hidetoshi Kizaki, and Yoshitada Morikawa,Jpn. J. Appl. Phys,57, 020306-1-4,2018年01月,学術論文

  • Study on the mechanism of platinum-assisted hydrofluoric acid etching of SiC using density functional theory calculations,P.V. Bui, A. Isohashi, H. Kizaki, Y. Sano, K. Yamauchi, Y. Morikawa, and K. Inagaki,Appl. Phys. Lett.,107(201601) 1-4,2015年11月,学術論文

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著書 【 表示 / 非表示

  • 専門著書,密度汎関数理論を用いた触媒反応の研究 −van der Waals 密度汎関数を中心に−,濱本雄治, 稲垣耕司, 木﨑栄年, 森川良忠, 濱田幾太郎,株式会社 アグネ技術センター,2017年08月

  • 専門著書,Computational Materials Design in Semiconductor Nano-spintronics,H. Katayama-Yoshida, K. Sato, M. Toyoda, V. A. Dinh, T. Fukushima, H. Kizaki,Pan Stanford Publishing,2010年06月

  • 専門著書,Computational Nano-Materials Design for the Wide Band-Gap and High-Tc Semiconductor spointronics”, Semiconductors and Semimetals vol 82,H. Katayama-Yoshida, K. Sato, T. Fukushima, M. Toyoda, H. Kizaki and V. A. Dinh,Elsevier,2008年11月

  • 専門著書,Computational materials design of ZnO-based semiconductor spintronics,K. Sato, M. Toyoda, T. Fukushima, V. A. Dinh, H. Kizaki, H. Katayama-Yoshida,Transworld Research Network, Kerala, India,2007年04月

特許・実用新案・意匠 【 表示 / 非表示

  • 日本,触媒組成物、及び三元触媒体,草部浩一、木崎栄年,特願 2009-204665(出願),2009年09月

 

学外運営 【 表示 / 非表示

  • 学会,日本物理学会,領域4運営委員,2017年10月 ~ 2018年09月

  • 公益法人,公益社団法人 日本表面科学会 電子ジャーナル制作小委員会,委員,2014年07月 ~ 継続中