基本情報

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毎田 修

MAIDA Osamu


キーワード

半導体物性

所属組織 【 表示 / 非表示

  • 2000年10月01日 ~ 2006年03月31日,産業科学研究所,助手,専任

  • 2006年04月01日 ~ 2007年03月31日,工学研究科 電気電子情報工学専攻,助手,専任

  • 2007年04月01日 ~ 継続中,工学研究科 電気電子情報工学専攻,助教,専任

職歴 【 表示 / 非表示

大阪大学・産業科学研究所・助手 2000年10月 ~ 2006年03月
大阪大学・大学院工学研究科・助手 2006年04月 ~ 継続中

研究内容・専門分野 【 表示 / 非表示

  • 半導体表面界面の特性評価および薄膜作製

所属学会 【 表示 / 非表示

  • 日本放射光学会

  • 応用物理学会

  • 日本物理学会

 

論文 【 表示 / 非表示

  • Transient photocapacitance measurement for characterization of deep defects in B-doped diamond films,Osamu Maida, and Ryosuke Yamashita,21th International Vacuum Congress,2019年07月,国際会議(proceedingsなし)

  • Characterization of the high-quality CVD diamond films for quantum information device,Osamu Maida, Toshimichi Ito,Advanced Materials World Congress 2018,2018年02月,国際会議(proceedingsなし)

  • Characterization of deep defects in boron-doped CVD diamond films using transient photocapacitance method,Osamu Maida, Takanori Hori, Taishi Kodama, Toshimichi Ito,Materials Science in Semiconductor Processing,Volume 70, pp. 203-206,2017年11月,学術論文

  • Behavior of nitrogen-related luminescence centers in laser-cut single-crystalline diamond under irradiation with keV electron beam ,Kenji Maruoka, Taiki Naito, Osamu Maida, Toshimichi Ito ,MRS Advances,Volume 2, Issue 43, pp.2355-2360,2017年08月,学術論文

  • Transient photocapacitance study of deep-level defects in boron-doped diamond films,O. Maida, T. Hori, T. Kodama and T. Ito,International Conference on Diamond and Carbon Materials 2016,2016年09月,国際会議(proceedingsなし)

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