基本情報

写真b

渡部 平司

WATANABE Heiji


キーワード

表面科学,半導体プロセス

メールアドレス

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URL

http://www-asf.mls.eng.osaka-u.ac.jp/

性別

男性

所属組織 【 表示 / 非表示

  • 2004年05月01日 ~ 2006年10月31日,工学研究科 精密科学・応用物理学専攻,助教授,専任

  • 2006年11月01日 ~ 継続中,工学研究科 生命先端工学専攻,教授,専任

学歴 【 表示 / 非表示

大阪大学 工学部 精密工学科 卒業 工学士 1988年03月
大阪大学 工学研究科 精密工学専攻 修了 工学修士 1990年03月
大阪大学 基礎工学研究科  工学博士(論文博士) 1994年02月

職歴 【 表示 / 非表示

日本電気株式会社 基礎研究所 1990年04月 ~ 1994年02月
技術研究組合オングストロームテクノロジ研究機構(JRCAT) 1994年02月 ~ 1998年02月
日本電気株式会社 基礎研究所 主任 1998年02月 ~ 2000年07月
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所 主任 2000年07月 ~ 2001年06月
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所 主任研究員 2001年06月 ~ 2004年04月
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻 助教授 2004年05月 ~ 2006年10月
大阪大学大学院工学研究科生命先端工学専攻 教授 2006年11月 ~ 継続中
大阪大学大学院工学研究科附属超精密科学研究センター長(兼任) 2007年07月 ~ 2013年03月
大阪大学副理事 2016年08月 ~ 2018年08月
大阪大学・栄誉教授 2017年04月 ~ 継続中

研究内容・専門分野 【 表示 / 非表示

  • SREM/STM複合分析技術による半導体材料表面の研究

  • 表面反応を利用した高品質薄膜材料作製に関する研究

  • 高誘電率ゲート絶縁膜およびメタルゲート電極に関する研究

所属学会 【 表示 / 非表示

  • 精密工学会

  • 応用物理学会

  • IEEE

  • ECS

  • MRS

 

論文 【 表示 / 非表示

  • Performance improvement in 4H-SiC(0001) p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with a gate oxide grown at ultrahigh temperature,Kidist Moges, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, and Heiji Watanabe,Applied Physics Express,Volume 12, Number 6,2019年05月,学術論文

  • Comparative study on thermal robustness of GaN and AlGaN/GaN MOS devices with thin oxide interlayers,Mikito Nozaki, Daiki Terashima, Takahiro Yamada, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, and Heiji Watanabe,Japanese Journal of Applied Physics,Volume 58, Number SC,2019年05月,学術論文

  • Mobility enhancement in recessed-gate AlGaN/GaN MOS-HFETs using an AlON gate insulator,Takuji Hosoi, Kenta Watanabe, Mikito Nozaki, Takahiro Yamada, Takayoshi Shimura, and Heiji Watanabe,Japanese Journal of Applied Physics,Volume 58, Number SC,2019年05月,学術論文

  • Analysis of III–V oxides at high-k/InGaAs interfaces induced by metal electrodes,Shinichi Yoshida, Dennis H L Lin, Rena Suzuki, Yuki Miyanami, Nadine Collaert, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe,Japanese Journal of Applied Physics,Volume 58, Number 5,2019年04月,学術論文

  • Controlled oxide interlayer for improving reliability of SiO2/GaN MOS devices,Takahiro Yamada, Daiki Terashima, Mikito Nozaki, Hisashi Yamada, Tokio Takahashi, Mitsuaki Shimizu, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura and Heiji Watanabe,Japanese Journal of Applied Physics,Volume 58, Number SC,2019年04月,学術論文

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著書 【 表示 / 非表示

  • 専門著書,Fundamental Aspects of Silicon Oxidation, Springer (Layer-by-Layer Oxidation of Si(001) Surfaces, pp.89-105.),H. Watanabe, N. Miyata, and M. Ichikawa,Springer,2001年02月

特許・実用新案・意匠 【 表示 / 非表示

  • 日本,X線位相差撮像装置,佐野 哲、田邊 晃一、吉牟田 利典、木村 健士、岸原 弘之、和田 幸久、和泉 拓朗、白井 太郎、土岐 貴弘、堀場 日明、志村 考功、渡部 平司、細井 卓治,2016-148428(出願),2016年07月

  • 日本,単結晶状GeSn含有材料の製造方法および単結晶状GeSn含有材料基板,志村考功、渡部平司、細井卓治,特願2012-042746(出願),2012年02月

  • 日本,金属ナノ粒子の選択配置方法,浦岡行治, 山下一郎, 鄭彬, 渡部平司, 是津信行,特願2010-134731(出願),2010年06月

  • 日本,高誘電率薄膜を用いた半導体装置の製造方法,渡部 平司,4826971(登録),2009年04月,2011年09月

  • 日本,エピタキシャルSi膜の製造方法およびプラズマ処理装置,大参宏昌、安武潔、垣内弘章、渡部平司,4539985(登録),2005年11月,2010年07月

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受賞 【 表示 / 非表示

  • 第7回日本学士院学術奨励賞,渡部平司,日本学士院,2011年03月

  • 第7回日本学術振興会賞,渡部平司,日本学術振興会,2011年03月

  • 文部科学大臣表彰(科学技術賞・研究部門),渡部平司,文部科学省,2019年04月

  • 第8回(2016年秋季)応用物理学会 Poster Award,冨田 崇史, 岡 博史, 小山 真広, 田中 章吾, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,公益社団法人 応用物理学会 ,2016年09月

  • 第7回(2016年春季)応用物理学会 Poster Award,小川慎吾, 淺原亮平, 箕浦佑也, 迫秀樹,川崎直彦, 山田一子, 宮本隆志, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司,応用物理学会,2016年03月

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報道 【 表示 / 非表示

  • GaN製パワー半導体 パナソニックが基地局向け,日本経済新聞(電子版),2018年02月

  • 5G基地局向け半導体 小型で大電流耐える,日経産業新聞,2018年02月

  • 大電力電源機器を高速・小型化 絶縁ゲート型GaNパワートランジスタ,日刊工業新聞,2018年02月

  • 連続安定駆動が可能 MIS型GaNパワーTR,電波新聞,2018年02月

  • SiC MOSFET 高誘電率ゲート絶縁膜採用 阪大など 漏れ電流9割低減,日刊工業新聞,2012年12月

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