基本情報

写真b

渡部 平司

WATANABE Heiji


キーワード

表面科学,半導体プロセス

メールアドレス

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URL

http://www-asf.mls.eng.osaka-u.ac.jp/

性別

男性

所属組織 【 表示 / 非表示

  • 2004年05月01日 ~ 2006年10月31日,工学研究科 精密科学・応用物理学専攻,助教授,専任

  • 2006年11月01日 ~ 継続中,工学研究科 生命先端工学専攻,教授,専任

学歴 【 表示 / 非表示

大阪大学 工学部 精密工学科 卒業 工学士 1988年03月
大阪大学 工学研究科 精密工学専攻 修了 工学修士 1990年03月
大阪大学 基礎工学研究科  工学博士(論文博士) 1994年02月

職歴 【 表示 / 非表示

日本電気株式会社 基礎研究所 1990年04月 ~ 1994年02月
技術研究組合オングストロームテクノロジ研究機構(JRCAT) 1994年02月 ~ 1998年02月
日本電気株式会社 基礎研究所 主任 1998年02月 ~ 2000年07月
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所 主任 2000年07月 ~ 2001年06月
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所 主任研究員 2001年06月 ~ 2004年04月
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻 助教授 2004年05月 ~ 2006年10月
大阪大学大学院工学研究科生命先端工学専攻 教授 2006年11月 ~ 継続中
大阪大学大学院工学研究科附属超精密科学研究センター長(兼任) 2007年07月 ~ 2013年03月
大阪大学副理事 2016年08月 ~ 2018年08月
大阪大学・栄誉教授 2017年04月 ~ 継続中

研究内容・専門分野 【 表示 / 非表示

  • 表面反応を利用した高品質薄膜材料作製に関する研究

  • 高誘電率ゲート絶縁膜およびメタルゲート電極に関する研究

  • SREM/STM複合分析技術による半導体材料表面の研究

所属学会 【 表示 / 非表示

  • 精密工学会

  • 応用物理学会

  • IEEE

  • ECS

  • MRS

 

論文 【 表示 / 非表示

  • High-mobility P- and N-channel GeSn Thin-film Transistors on Transparent Substrate Fabricated by Nucleation-controlled Liquid-phase Crystallization,T. Hosoi, H. Oka, K. Inoue, Y. Wada, T. Shimura, and H. Watanabe,SISC 2018,2018年12月,国際会議(proceedingsあり)

  • Effect of incorporating Hf atoms in AlON gate dielectrics on hole leakage current,T. Nagura, K. Chokawa, M. Araidai, T. Hosoi, H. Watanabe, A. Oshiyama, and K. Shiraishi,SISC 2018,2018年12月,国際会議(proceedingsあり)

  • Improved reliability of SiO2/GaN MOS devices by controlling the oxide interlayer,Takahiro Yamada, Daiki Terashima, Mikito Nozaki, Hisashi Yamada, Tokio Takahashi, Mitsuaki Shimizu, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, and Heiji Watanabe,International Workshop on Nitride Semiconductors 2018,2018年11月,国際会議(proceedingsあり)

  • Comparative study of thermal decomposition of thin Ga oxide layer on GaN and AlGaN surfaces,Mikito Nozaki, Daiki Terashima, Takahiro Yamada, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, and Heiji Watanabe,International Workshop on Nitride Semiconductors 2018,2018年11月,国際会議(proceedingsあり)

  • Mobility enhancement in AlGaN/GaN MOS-HFET with gate recess etching by using AION gate insulator,Takuji Hosoi, Kenta Watanabe, Mikito Nozaki, Takahiro Yamada, Takayoshi Shimura, and Heiji Watanabe,International Workshop on Nitride Semiconductors 2018,2018年11月,国際会議(proceedingsあり)

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著書 【 表示 / 非表示

  • 専門著書,Fundamental Aspects of Silicon Oxidation, Springer (Layer-by-Layer Oxidation of Si(001) Surfaces, pp.89-105.),H. Watanabe, N. Miyata, and M. Ichikawa,Springer,2001年02月

特許・実用新案・意匠 【 表示 / 非表示

  • 日本,単結晶状GeSn含有材料の製造方法および単結晶状GeSn含有材料基板,志村考功、渡部平司、細井卓治,特願2012-042746(出願),2012年02月

  • 日本,金属ナノ粒子の選択配置方法,浦岡行治, 山下一郎, 鄭彬, 渡部平司, 是津信行,特願2010-134731(出願),2010年06月

  • 日本,高誘電率薄膜を用いた半導体装置の製造方法,渡部 平司,4826971(登録),2009年04月,2011年09月

  • 日本,エピタキシャルSi膜の製造方法およびプラズマ処理装置,大参宏昌、安武潔、垣内弘章、渡部平司,4539985(登録),2005年11月,2010年07月

  • 日本,半導体装置およびその製造方法,間部 謙三、五十嵐 信行、吉原 拓也、渡部 平司,4792716(登録),2004年07月,2011年08月

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受賞 【 表示 / 非表示

  • 第7回日本学術振興会賞,渡部平司,日本学術振興会,2011年03月

  • 第7回日本学士院学術奨励賞,渡部平司,日本学士院,2011年03月

  • 第8回(2016年秋季)応用物理学会 Poster Award,冨田 崇史, 岡 博史, 小山 真広, 田中 章吾, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,公益社団法人 応用物理学会 ,2016年09月

  • 第7回(2016年春季)応用物理学会 Poster Award,小川慎吾, 淺原亮平, 箕浦佑也, 迫秀樹,川崎直彦, 山田一子, 宮本隆志, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司,応用物理学会,2016年03月

  • 第4回(平成27年度)大阪大学総長顕彰(研究部門),渡部 平司,大阪大学,2015年07月

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報道 【 表示 / 非表示

  • 連続安定駆動が可能 MIS型GaNパワーTR,電波新聞,2018年02月

  • GaN製パワー半導体 パナソニックが基地局向け,日本経済新聞(電子版),2018年02月

  • 5G基地局向け半導体 小型で大電流耐える,日経産業新聞,2018年02月

  • 大電力電源機器を高速・小型化 絶縁ゲート型GaNパワートランジスタ,日刊工業新聞,2018年02月

  • SiC MOSFET 高誘電率ゲート絶縁膜採用 阪大など 漏れ電流9割低減,日刊工業新聞,2012年12月

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