基本情報

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長谷川 繁彦

HASEGAWA Shigehiko


キーワード

半導体物性

URL

http://www.sanken.osaka-u.ac.jp/labs/pem/

所属組織 【 表示 / 非表示

  • 1990年04月01日 ~ 2002年05月31日,産業科学研究所,助手,専任

  • 2002年06月01日 ~ 2007年03月31日,産業科学研究所,助教授,専任

  • 2007年04月01日 ~ 継続中,産業科学研究所,准教授,専任

学歴 【 表示 / 非表示

金沢大学 工学部 電子工学科 卒業 学士 1978年03月
大阪大学 工学研究科 電子工学専攻 修了 修士 1983年03月
大阪大学 工学研究科 電子工学専攻 修了 博士 1987年03月

職歴 【 表示 / 非表示

大阪大学産業科学研究所助手 1986年04月 ~ 継続中
大阪大学産業科学研究所助教授 2002年06月 ~ 継続中
大阪大学産業科学研究所准教授 2007年04月 ~ 継続中

研究内容・専門分野 【 表示 / 非表示

  • 半導体量子構造,エピタキシャル成長,半導体表面・界面,光・電子材料

所属学会 【 表示 / 非表示

  • The American Physical Society

  • 日本真空協会

  • 日本物理学会

  • 応用物理学会

  • 日本表面科学会

 

論文 【 表示 / 非表示

  • Purification of commercial yttrium metal: Removal of fluorine,Ayato Takenouchi, Takashi Otomo, Kota Niwa, Masamichi Sakai, Yoshiaki Saito, Tomoyuki Kirigane, Masashi Kosaka, Shigehiko Hasegawa, Osamu Nakamura,Journal of Crystal Growth,2017年04月,学術論文

  • Fabrication of YH3 thin film using Pd/Ni co-capping layer: Ni thickness effect,Kosuke Yabuki, Hiroaki Hirama, Nobuhiko Aoki, Masamichi Sakai, Yoshiaki Saito, Koich Higuchi, Akira Kitajima, Shigehiko Hasegawa, Osamu Nakamura,Journal of Crystal Growth,2017年04月,学術論文

  • Low-temperature and low-H2 pressure synthesis of hydride semiconductor YH3-δ using Pd/Ni co-capped Y films,Kosuke Yabuki, Hiroaki Hirama, Masamichi Sakai, Yoshiaki Saito, Koichi Higuchi, Akira Kitajima, Shigehiko Hasegawa, Osamu Nakamura,Thin Solid Films,624 175-180,2017年02月,学術論文

  • Coatings of Boron Nitride Films for Vacuum Tribology by Reactive Plasma Assisted Coating (RePAC) Technology—Friction coefficient lowering under vacuum—,Masao Noma, Koji Eriguchi, Michiru Yamashita, Shigehiko Hasegawa,The 7th Tsukuba International Coating Symposium, Tsukuba, Japan, December 8-9, 2016,2016年12月,会議報告/口頭発表

  • Formation of superhard c-BN films on the body and edge of cutting tools by reactive plasma-assisted coating (RePAC),Masao Noma, Koji Eriguchi, Michiru Yamashita, Shigehiko Hasegawa,The 16th International Conference on Precision Engineering, Hamamatsu, Japan, November 14-16, 2016,2016年11月,国際会議(proceedingsあり)

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著書 【 表示 / 非表示

  • 専門著書,Photonics Based on Wavelength Integration and Manipulation,H. Asahi and S. Hasegawa,The Institute of Pure and Applied Physics,2005年02月

  • 専門著書,STM Characterization of InAs Nanostructures Formed on GaAs(001),S.Hasegawa and H.Nakashima,Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, New York, Tokyo,2002年04月

  • 専門著書,Interface structure of epitaxial Al film on Si(111)(Ö3xÖ3)-Al studied by LEED, LEETS and STM,S.Hasegawa, A.Uemura, and H.Nakashima,Ohmsha, Ltd. IOS Press,1995年04月

  • 専門著書,STMによるSi(111)-Al表面の観察,中島尚男,上村明,長谷川繁彦,(株)ティー・アイ・シィー,1994年04月

  • 専門著書,表面の物理学,長谷川繁彦,日刊工業新聞社,1992年04月

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特許・実用新案・意匠 【 表示 / 非表示

  • 日本,不純物濃度測定方法,STM測定方法及びSTS測定方法,福留 秀暢,有本 宏,長谷川 繁彦,平成13年特許願第68069号(登録),2001年03月

  • 日本,不純物濃度測定方法,福留 秀暢,有本 宏,長谷川 繁彦,平成12年特許願第66698号(登録),2000年03月

受賞 【 表示 / 非表示

  • Best Paper Award,Y.K. Zhou, S.W. Choi, S. Kimura, S. Emura, S. Hasegawa and H. Asahi,3rd IUMRS International Conference in Asia,2006年09月

  • 第19回熊谷記念真空科学論文賞,中島尚男, 木村憲泰, 佐藤正道, 岩根正晃, 井上恒一, 前橋兼三, 長谷川繁彦, 松田理, 邑瀬和生,日本真空協会,1994年10月

  • 第5回(昭和63年度)井上研究奨励賞,長谷川繁彦,井上科学振興財団,1988年02月