基本情報

写真b

朝日 一

ASAHI Hajime


キーワード

電子材料工学

メールアドレス

メールアドレス

電話番号

06-6879-8405

FAX番号

06-6879-8409

URL

http://www.sanken.osaka-u.ac.jp/labs/pem/

性別

男性

所属組織 【 表示 / 非表示

  • 2001年07月01日 ~ 2012年03月31日,産業科学研究所,教授,専任

  • 2012年04月01日 ~ 継続中,産業科学研究所,特任教授,専任

学歴 【 表示 / 非表示

東京大学 工学部 物理工学科 卒業 工学学士 1971年06月
東京大学 工学研究科 物理工学専門課程 修了 工学修士 1973年03月
東京大学 工学研究科 物理工学専門課程 修了 工学博士 1976年03月

職歴 【 表示 / 非表示

日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所・研究員 1976年04月 ~ 1983年03月
日本電信電話公社厚木電気通信研究所・研究専門調査役 1983年04月 ~ 1985年03月
日本電信電話株式会社厚木電気通信研究所・主幹研究員 1985年04月 ~ 1987年03月
大阪大学産業科学研究所・助教授 1987年04月 ~ 2001年07月
大阪大学産業科学研究所・教授 2001年07月 ~ 2012年03月

研究内容・専門分野 【 表示 / 非表示

  • 量子マテリアル、量子デバイスのナノ構造・物性・機能の評価の研究
    応用物性関連

  • 半導体量子ナノ構造とデバイス応用
    応用物性関連

  • 多結晶窒化物半導体とそのデバイス応用
    応用物性関連

  • タリウム系温度無依存バンドギャップ半導体およびそのデバイス応用
    応用物性関連

  • 新磁性半導体の創製と半導体スピントロニクスデバイス創製
    応用物性関連

所属学会 【 表示 / 非表示

  • 米国真空学会

  • 日本表面科学会

  • 日本物理学会

  • 電気学会

  • 応用物理学会

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論文 【 表示 / 非表示

  • MBE growth of TlInGaAs/TlInP/InP SCH LD structures and their laser operation with low temperature variation of lasing wavelength,A. Fujiwara, D. Krishnamurthy, T. Matsumoto, S. Hasegawa and H. Asahi,J. Cryst. Growth,301-302, 109-112,2007年02月,学術論文

  • Tunnel magnetoresistance in GaCrN/AlN/GaCrN ferromagnetic semiconductor tunnel junctions,M.S. Kim, Y.K. Zhou, M. Funakoshi, S. Emura, S. Hasegawa, H. Asahi,Appl. Phys. Lett.,89 (23) 232511-1 - 232511-3,2006年12月,学術論文

  • Observation of small temperature variation of longitudinal-mode peak wavelength in TlInGaAs/InP laser diodes,A. Fujiwara, H.J. Lee, A. Imada, S. Hasegawa and H. Asahi,Jpn. J. Appl. Phys. 42 (11B) (2003) L1359-L1361.,42 (11B) L1359-L1361,2003年11月,学術論文

  • High temperature (>400K) ferromagnetism in III-V-based diluted magnetic semiconductor GaCrN grown by ECR molecular beam epitaxy,Masahiko Hashimoto, Yi-Kai Zhou, Masahito Kanamura and Hajime Asahi,Solid State Com. 122 (1-2) (2002) 37-39,122 (1-2) 37-39,2002年01月,学術論文

  • Current injection laser operation of GaAs/InAs short-period superlattice/InP(411) quantum dot laser diodes with InAlAs current blocking layer,T. Shimada, S. Hasegawa and H. Asahi,Jpn. J. Appl. Phys.,44(21), L655-L657,2005年05月,学術論文

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著書 【 表示 / 非表示

  • 専門著書,実用薄膜プロセス,朝日一,技術教育出版社,2009年08月

  • 辞典,薄膜ハンドブック,朝日一,オーム社,2008年03月

  • 辞典,電子材料ハンドブック,朝日一,朝倉書店,2006年11月

  • 専門著書,Photonics Based on Wavelength Integration and Manipulation,H. Asahi and S. Hasegawa,The Institute of Pure and Applied Physics,2005年02月

  • 専門著書,Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology,S. Gonda and H. Asahi,Marcel Dekker, Inc.,2004年03月

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特許・実用新案・意匠 【 表示 / 非表示

  • 日本,半導体レーザ,尾江邦重、朝日一,特願平 8-22376(出願),1998年08月

  • 日本,電子放出用陰極部とそれを含む蛍光表示装置,筆田麻祐子、朝日一,特開2003-242876(公開),2002年02月

  • 日本,半導体レーザ,朝日一、周逸凱,特願2002-074499(出願),2002年03月

  • 日本,磁性制御方法,江村修一,朝日一,周逸凱,特願2006-31915(出願),2006年11月

  • 日本,強磁性材料,周逸凱,朝日一,特願2006-294577(出願),2006年10月

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受賞 【 表示 / 非表示

  • 大阪大学功績賞,朝日一,大阪大学,2011年08月

  • IPRM Award,朝日一,IEEE Photonics Society,2010年06月

  • 第14回大阪大学共通教育賞(平成20年度第2学期),朝日一,大阪大学,2009年05月

  • 応用物理学会フェロー,朝日一,応用物理学会,2008年09月

  • JJAP Editorial Contribution Award,Hajime Asahi,The Japan Society of Applied Physics,2008年04月

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会議運営 【 表示 / 非表示

  • 国際会議,16h International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE-2010),International Advisory Committee member,2010年08月

  • 国際会議,3rd International Symposium on Growth of Nitrides (ISGN-3),International Advisory Committee member,2010年07月

  • 国際会議,22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM'10),International Steering Committee Member,2010年06月

  • 国際会議,17th International Colloquim on Scanning Probe Microscopy (ICSPM-17),Organizing Committee member, Publication Committee member,2009年12月

  • 国際会議,2009 International Conference on Solid State Devices and Materials,Program Committee member,2009年10月

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学外運営 【 表示 / 非表示

  • 公益法人,産業科学研究協会,理事,2009年04月 ~ 継続中

  • 学会,日本表面科学会,協議員,2009年04月 ~ 継続中

  • 学会,International Union for Vacuum Science, Technique, and Applications (IUVSTA),Science and Technical Division委員,2007年07月 ~ 継続中

  • 学会,日本表面科学会,評議員,2007年05月 ~ 2009年03月

  • 学会,日本表面科学会関西支部,監査,2005年06月 ~ 継続中

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その他の活動 【 表示 / 非表示

  • Japan. J. Appl. Phys., Special Issue ICSTM-16,2008年10月 ~ 2009年02月

  • Journal of Physics: Condensed Matter,2008年01月 ~ 継続中

  • Japan. J. Appl. Phys., Special Issue ICSTM-15,2007年10月 ~ 2008年02月

  • Journal of Ceramic Processing Research,2007年08月 ~ 継続中

  • 電気学会パワー半導体レーザ産業技術調査専門委員会,2007年04月 ~ 2009年03月

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