基本情報

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中村　芳明

NAKAMURA Yoshiaki


キーワード

量子ドット、ナノ構造、半導体、熱電材料、分子線エピタキシー

URL

http://www.adv.ee.es.osaka-u.ac.jp/

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所属組織 【 表示 ／ 非表示 】

  • 2008年10月01日 ～ 2015年03月31日，基礎工学研究科 システム創成専攻，准教授，専任

  • 2015年04月01日 ～ 継続中，基礎工学研究科 システム創成専攻，教授，専任

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学歴 【 表示 ／ 非表示 】

東京大学 工学部 物理工学科 卒業 学士 1997年03月
東京大学 工学系研究科 物理工学専攻 修了 修士 1999年03月
東京大学 工学系研究科 物理工学専攻 修了 工学博士 2002年03月
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職歴 【 表示 ／ 非表示 】

東京大学・助手 2002年04月 ～ 2007年03月
東京大学・助教 2007年04月 ～ 2008年09月
大阪大学・准教授 2008年10月 ～ 2015年03月
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所属学会 【 表示 ／ 非表示 】

  • 応用物理学会

  • 日本表面科学会

  • 日本物理学会

  • 日本金属学会

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論文 【 表示 ／ 非表示 】

  • Epitaxial Growth of High Quality Ge Films on Si(001) Substrates by Nanocontact Epitaxy，Yoshiaki Nakamura, Akiyuki Murayama, and Masakazu Ichikawa，Crystal Growth & Design，11, 3301，2011年06月，学術論文

  • Nanocontact heteroepitaxy of thin GaSb and AlGaSb films on Si substrates using ultrahigh-density nanodot seeds，Yoshiaki Nakamura, Takafumi Miwa and Masakazu Ichikawa，Nanotechnology，22 265301，2011年05月，学術論文

  • Self-organized formation and self-repair of a two-dimensional nanoarray of Ge quantum dots epitaxially grown on ultrathin SiO2-covered Si substrates，Yoshiaki Nakamura, Akiyuki Murayama, Ryoko Watanabe, Tomokazu Iyoda and Masakazu Ichikawa，Nanotechnology，21 095305，2010年02月，学術論文

  • Observation of the quantum-confinement effect in individual Ge nanocrystals on oxidized Si substrates using scanning tunneling spectroscopy，Yoshiaki Nakamura, Kentaro Watanabe, Yo Fukuzawa, and Masakazu Ichikawa，Appl. Phys. Lett. 87, 13, 133119-1-3.，2005年09月，学術論文

  • (Invited) High density Iron silicde nanodots formed by ultrathin SiO2 film technique，Yoshiaki Nakamura，IUMRS-ICA 2011, Taipei, September, 2011，2011年09月，国際会議（proceedingsあり）

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著書 【 表示 ／ 非表示 】

  • 専門著書， Formation of Ultrahigh Density Quantum Dots Epitaxially Grown on Si Substrates Using Ultrathin SiO2 Film Technique, STATE-OF-THE-ART OF QUANTUM DOT SYSTEM FABRICATIONS, CAPTER 6, jointly worked，Yoshiaki Nakamura, Masakazu Ichikawa，INTECH，ＩＳＢＮ，978-953-51-0649-4，2012年06月

  • 一般著書，サーマルデバイス　新素材・新技術による熱の高度制御と高効率利用，中村芳明，NTS，ＩＳＢＮ，4860436024，2019年04月

  • 専門著書，フォノンエンジニアリング～マイクロ・ナノスケールの次世代熱制御技術～，塩見　淳一郎, 他23名，(株）エヌ・ティー・エス，ＩＳＢＮ，978-4-86043-509-7 ，2017年09月

  • 専門著書，シリサイド系半導体ナノ構造　(3.7節)，中村　芳明，裳華房，ＩＳＢＮ，978-4-7853-2920-4，2014年09月

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特許・実用新案・意匠 【 表示 ／ 非表示 】

  • 日本，シリコンウェーハ及びその製造方法，須藤治生，荒木浩司，泉妻宏治，竹内正太郎，中村芳明，酒井朗，2016-124758（公開），2015年01月

  • 日本，熱電材料及びその製造方法並びにそれを用いた熱電変換モジュール，中村芳明　他，特願2012-124940（出願），2012年05月

  • 日本，鉄シリサイド強磁性体デバイスの製造方法，中村芳明、市川昌和、福田憲二郎，特開２００９－２６８４７（公開），2007年07月

  • 日本，GeSn半導体の製造方法，中村芳明、市川昌和、正田明子，特開2007-294778（公開），2006年04月

  • 日本，半導体デバイスの製造方法，市川昌和、中村芳明，特開2005-303249（公開），2004年03月

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受賞 【 表示 ／ 非表示 】

  • 第20回応用物理学会講演奨励賞，中村芳明，応用物理学会，2006年03月

  • Young scientist award at 9th international workshop on Desorption Induced by Electronic Transitions，Yoshiaki Nakamura，The organizier of 9th international workshop on Desorption Induced by Electronic Transitions，2002年02月

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報道 【 表示 ／ 非表示 】

  • シリコン　熱伝導　1/200，日経産業新聞，2015年07月

  • Article highlighted by Advances in Engineering, Canada，Advances in Engineering, Canada，2013年11月

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会議運営 【 表示 ／ 非表示 】

  • 国際会議，ACSIN-12 & ICSPM21，プログラム委員セッション責任者、会計幹事（主），2013年11月

  • 国際会議，Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2013)，会計幹事，2013年07月

  • 国際会議，Asia-Pasific Conference on Semiconduting Silicides and Related materials Science and Technology Towards Optoelectronics，2010年07月

  • 国際会議，9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures，2007年11月

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学外運営 【 表示 ／ 非表示 】

  • 公益法人，公益社団法人　応用物理学会　薄膜表面分科会，常任幹事　会計，2011年04月 ～ 2013年03月

  • 学会，公益社団法人　応用物理学会　薄膜表面分科会，幹事，2010年04月 ～ 継続中

  • 学会，公益社団法人　応用物理学会　シリサイド系半導体と関連物質研究会，幹事，2007年04月 ～ 継続中

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