論文

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  1. Low-temperature Growth of Epitaxial Silicon films by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition，Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Naotaka Tawara, Takuya Wakamiya, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake，Proceedings of the 6th ICRP and 23rd SPP，625-626，2006年01月，国際会議（proceedingsあり）

  2. Characterization of high pressure (200-760Torr), stable glow plasma of pure hydrogen by measuring etching properties of Si and optical emission spectroscopy，Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Yoshiki Ogiyama, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake，Proceedings of the 6th ICRP and 23rd SPP，301-302，2006年01月，国際会議（proceedingsあり）

  3. low temperature crystallization of amorphous silicon by atmospheric pressure plasma treatment in H2/He or H2/Ar mixtures，Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Kenichi Nishijima, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake，Proceedings of the 6th ICRP an 23rd SPP，67-68，2006年01月，国際会議（proceedingsあり）

  4. シリコン系薄膜の大気圧プラズマCVDおよびエピタキシャル成長，安武潔，垣内弘章，大参宏昌，渡部平司，薄膜材料デバイス研究会第2回研究集会「低温プロセスの再発見」アブストラクト集（2005），p.36，2005年11月，会議報告/口頭発表

  5. High-Rate Growth of Defect-Free Epitaxial Si at Low Temperatures by Atmoshperis Pressure Plasma CVD，Takuya Wakamiya, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake, Kumayasu Yoshii, and Yuso Mori，Extended Abstracts of the 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials，2005年09月，会議報告/口頭発表

  6. High-Rate Deposition of Intrinsic Amorphous Silicon Layers for Solar Cells using Very High Frequency Plasma at Atmospheric Pressure，Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Yasuhito Kuwahara, Mitsuhiro Matsumoto, Yusuke Ebata, Kiyoshi Yasutake, Kumayasu Yoshii and Yuzo Mori，Extended Abstracts of the 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials，758-759，2005年09月，会議報告/口頭発表

  7. 大気圧プラズマCVDによる超高速成膜技術の開発，垣内弘章, 大参宏昌, 安武 潔, 芳井熊安, 森　勇藏，先端放射線化学シンポジウム2005　要旨集，pp. 1-2，2005年06月，解説・総説

  8. 大気圧プラズマCVDによる機能薄膜の高速形成，垣内弘章, 大参宏昌, 安武 潔, 芳井熊安, 森　勇藏, 中濱康治, 江畑裕介，日本学術振興会　薄膜第131委員会　第226回研究会資料，pp. 31-35，2005年06月，解説・総説

  9. Investigation of deposition characteristics and properties of high-rate deposited silicon nitride films prepared by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition，H. Kakiuchi, Y. Nakahama, H. Ohmi, K. Yasutake, K. Yoshii, Y. Mori，Thin Solid Films 479 (2005) 17-23，Vol. 479, pp. 17-23，2005年04月，学術論文

  10. Characterization of intrinsic amorphous silicon layers for solar cells prepared at extremely high rates by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition，H. Kakiuchi, M. Matsumoto, Y. Ebata, H. Ohmi, K. Yasutake, K. Yoshii, Y. Mori，Journal of Non-Crystalline Solids 351 (2005) 741-747，Vol. 351, pp. 741-747，2005年04月，学術論文

  11. Defect-free growth of epitaxial silicon at low temperatures (500 - 800°C) by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition，K. Yasutake, H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yoshii, and Y. Mori，Applied Physics A，2005年02月，学術論文

  12. Formation of Crystalline Ge Islands on Glass Substratesfor Growth of Large-Grained Polycrystalline Si Thin Films，K. Yasutake, H. Watanabe, H. Ohmi, H. Kakiuchi, S. Koyama, D. Nakajima and K. Minami，Proceedings of Thin Film Materials & Devices Meeting, Nov.12-13, 2004, Nara-Shi Asunara Conference Hall, pp.19-24，pp.19-24，2005年02月，国際会議（proceedingsあり）

  13. Size and Density Control of Crystalline Ge Islands on Glass Substrates by Oxygen Etching，Kiyoshi YASUTAKE,Hiromasa OHMI,Hiroaki KAKIUCHI,HeijiWATANABE,Kumayasu YOSHII,Yuzo MORI，Jpn. J. Appl. Phys. Vol.43 (2004) No.12A pp.L1552-L1554，Vol.43 No.12A pp.L1552-L1554，2004年12月，学術論文

  14. 大粒径多結晶Si薄膜作製のためのGe微結晶核を利用した基板表面制御，小山晋,中嶋大貴,南綱介,大参宏昌,渡部平司,安武潔,森勇藏，薄膜材料デバイス研究会第１回研究会「TFTのすべて」アブストラクト集(2004) p.36, p.67，p.36, p.67，2004年11月，会議報告/口頭発表

  15. 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiCの高速成膜に関する研究（第２報）－成膜パラメータの最適化による膜構造の改善－，垣内弘章，大参宏昌，中澤弘一，安武　潔，芳井熊安，森　勇藏，精密工学会誌 70 [8] (2004) 1075-1079.，2004年08月，学術論文

  16. 大気圧プラズマCVD法により高速形成したSiNx薄膜の構造と成膜パラメータの相関，垣内弘章，中濱康治，大参宏昌，安武　潔，芳井熊安，森　勇藏，精密工学会誌 70 [7] (2004) 956-960.，2004年07月，学術論文

  17. 大気圧プラズマCVDによる超高速形成アモルファスSiを発電層とした薄膜太陽電池の基礎特性，森　勇藏, 垣内弘章, 芳井熊安, 安武　潔, 大参宏昌, 江畑裕介, 中村恒夫, 竹内博明, 北條義之, 古川和彦，精密工学会誌, 70, 4, pp.562-567 (2004)，70, 4, pp.562-567，2004年04月，学術論文

  18. 大気圧プラズマCVD法によるSiNxの成膜特性，森　勇藏, 垣内弘章, 大参宏昌, 芳井熊安, 安武　潔, 中濱康治，精密工学会誌, 70, 2, pp.292-296 (2004)，70, 2, pp.292-296，2004年02月，学術論文

  19. 回転電極型大気圧プラズマCVD法による多結晶Siの成膜特性，森　勇藏, 芳井熊安, 安武　潔, 垣内弘章, 大参宏昌, 中濱康治, 江畑祐介，精密工学会誌, 70, 1, pp.144-148 (2004)，70, 1, pp.144-148，2004年01月，学術論文

  20. 大気圧プラズマＣＶＤ法による機能薄膜の超高速成形成技術の開発，垣内弘章，大参宏昌，安武　潔，芳井熊安，遠藤勝義，森　勇藏，大阪大学低温センターだより，125,16-22，125,16-22，2004年01月，大学・研究所等の報告

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