論文

41. Formation of SiOxNy Films for Passivation of Si Surfaces by Atmospheric-Pressure Plasma Oxidation，ZT. Zhuo, K. Goto, Y. Sannomiya, Y. Kanetani, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake，Ext. Abst. 4th Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology，pp. 228-229，2011年10月，国際会議（proceedingsあり）

42. Silicon Oxide Anti-Reflection Coatings from Hexamethyldisiloxane at Room Temperature Using Atmospheric-Pressure VHF plasma，K. Yokoyama, K. Okamura, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake，Ext. Abst. 4th Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology，pp. 230-231，2011年10月，国際会議（proceedingsあり）

43. Fundamental Study on the Film Growth from Organometallic precursors Using Atmospheric-Pressure Radio-Frequency Plasma，S. Mine, K. Okamura, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake，Ext. Abst. 4th Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology，pp. 232-233，2011年10月，国際会議（proceedingsあり）

44. Deposition Characteristics of Silicon Oxides in Open Air Using Atmospheric-Pressure Plasma Jet，K. Higashida, T. Shibata, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake，Ext. Abst. 4th Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology，pp. 234-235，2011年10月，国際会議（proceedingsあり）

45. Effects of Substrate Temperature on High-Rate Etching of Silicon by Microwave H2 Plasma，T. Yamada, K. Okamoto, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake，Ext. Abst. 4th Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology，pp. 236-237，2011年10月，国際会議（proceedingsあり）

46. Influence of the Electrode Configuration on the Growth of Microcrystalline Si Films in Atmospheric-Pressure Very High-Frequency Plasma，A. Hirano, T. Tsushima, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake，Ext. Abst. 4th Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology，pp. 238-239，2011年10月，国際会議（proceedingsあり）

47. New Formation Processes for Solar-Grade Si and TCO Films Using Atmospheric-Pressure Plasma Technology，K. Yasutake, H. Kakiuchi, T. Yamada and H. Ohmi，Proc. 2011 Korea & Japan Symposium on Solar Cells，pp. 47-61，2011年09月，国際会議（proceedingsあり）

48. High-Rate Deposition of Amorphous and Microcrystalline Si Films Using Atmospheric-Pressure VHF Plasma，H. Kakiuchi, H.Ohmi, T. Yamada, and K.Yasutake，Proc. 2011 Korea & Japan Symposium on Solar Cells，pp. 157-174，2011年09月，国際会議（proceedingsあり）

49. An atomically controlled Si film formation process at low temperatures using atmospheric-pressure VHF plasma　，K. Yasutake, H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Inagaki, Y. Oshikane and M. Nakano，23 (2011) 394205 (22pp)，2011年09月，学術論文

50. Growth and Properties of Zinc Oxide Films Prepared in Atmospheric-Pressure Radio Frequency Plasma，S. Mine, S. Okazaki, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi, and K. Yasutake，Book of Abst. of The 24rd Int. Conf. on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors，p. 152，2011年08月，国際会議（proceedingsあり）

51. Deposition Characteristics of Silicon Oxides in Open Air Using Atmospheric-Pressure Plasma Jet，K. Higashida, K. Nakamura, T. Shibata, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake，Book of Abst. of The 24rd Int. Conf. on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors，p. 156，2011年08月，国際会議（proceedingsあり）

52. Purified Silicon Film Formation from Metallurgical-Grade Silicon by Hydrogen Plasma Induced Chemical Transport，H. Ohmi, T. Yamada, H. Kakiuchi, and K. Yasutake，Jpn. J. Appl. Phys，50 (2011) 08JD01-1-6，2011年08月，学術論文

53. Surface treatment for crystalline Si solar cell using a solid source high-pressure plasma etching method: texturing and affected　layer removal，H. Ohmi, K. Umehara, H. Kakiuchi, K. Yasutake，CIP 11 Abstract booklet，pp.189，2011年07月，国際会議（proceedingsあり）

54. Low-temperature synthesis of microcrystalline 3C-SiC film by high-pressure hydrogen-plasma-enhanced chemical transport，H. Ohmi, T. Hori, T. Mori, H. Kakiuchi, and K. Yasutake，J. Phys. D: Appl. Phys.，44, 235202(8pp)，2011年06月，学術論文

55. Surface Cleaning and Etching of 4H-SiC(0001) Using High-Density Atmospheric Pressure Hydrogen Plasma ，Watanabe, Heiji; Ohmi, Hiromasa; Kakiuchi, Hiroaki; Hosoi, Takuji; Shimura, Takayoshi; Yasutake, Kiyoshi，Journal of Nanoscience and Nanotechnology，11 (4) 2802 (2011)，2011年04月，学術論文

56. Room-Temperature Formation of Low Refractive Index Silicon Oxide Films Using Atmospheric-Pressure Plasma，K. Nakamura, Y. Yamaguchi, K. Yokoyama, K. Higashida, H. Ohmi, H. Kakiuchi, and K. Yasutake，J. Nanosci. Nanotechnol.，11, pp. 2851–2855 (2011)，2011年04月，学術論文

57. Study on the Growth of Heteroepitaxial Cubic Silicon Carbide Layers in Atmospheric-Pressure H2-based Plasma，H. Kakiuchi, H. Ohmi, and K. Yasutake，J. Nanosci. Nanotechnol.，11, pp. 2903–2909 (2011)，2011年04月，学術論文

58. Center of Excellence for Atomically Controlled Fabrication Technology，Yuji Kuwahara, Akira Saito, Kenta Arima and Hiromasa Ohmi，J. Nanosc. Nanotechnol，11, 4, p.2763-2776，2011年04月，学術論文

59. Atmospheric-Pressure Plasma Technology for the High-Rate and Low-Temperature Deposition of Si Thin Films，H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake，Abst. 32nd Int. Symp. on Dry Process，pp. 3-4，2010年11月，国際会議（proceedingsあり）

60. Open Air Deposition of Silicon Oxide Films at Room Temperature Using Atmospheric-Pressure Plasma Jet，K. Higashida, K. Nakamura, T. Shibata, T. Yamada, H. Ohmi, H. Kakiuchi and K. Yasutake，Ext. Abst. 3rd Int. Symp. on Atomically Controlled Fabrication Technology，pp.108-109，2010年11月，国際会議（proceedingsあり）