特許・実用新案・意匠

1. 日本，膜製造方法，大参宏昌，安武潔，他2名，特願2008-222785（出願），2008年08月

2. 日本，選択的膜製造方法，大参宏昌，安武潔，垣内弘章，WO2009/028188（公開），2008年08月

3. 日本，Si精製方法，Si精製装置及びSi精製膜製造装置，大参宏昌，安武潔，他2名，特願2008-159567（出願），2008年06月

4. 日本，選択的膜製造方法，大参宏昌，安武潔，垣内弘章，特願　2007-225020（出願），2007年08月

5. 日本，プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法，ガス発生装置及びガス発生方法， 並びに，フッ素含有高分子廃棄物処理方法，大参宏昌，安武潔，垣内弘章，特願2007-009637（出願），2007年01月

6. 日本，プラズマ表面処理装置，大参宏昌，安武潔，垣内弘章，特願2006-320517（出願），2006年11月

7. 日本，大気圧水素プラズマを用いた膜製造法，精製膜製造方法及び装置，大参宏昌，安武潔，垣内弘章，WO2007/049402（公開），2006年09月

8. 日本，エピタキシャルSi膜の製造方法およびプラズマ処理装置，大参宏昌、安武潔、垣内弘章、渡部平司，4539985（登録），2005年11月，2010年07月

9. 日本，大気圧水素プラズマを用いた膜製造方法および装置，大参　宏昌，特願2005-311934（登録），2005年10月

10. 日本，プラズマ加工装置及びプラズマ加工法，大参宏昌，安武潔,他2名，特願2008-251163（出願），2008年09月

11. 中国，大気圧水素プラズマを用いた膜製造方法、精製膜製造方法及び装置，大参宏昌，安武潔，垣内弘章，200680049202.9（出願），2006年09月

12. 日本，大気圧水素プラズマを用いた膜製造方法、精製膜製造方法及び装置，大参宏昌，安武潔，垣内弘章，2007-542265（出願），2006年09月

13. アメリカ，大気圧水素プラズマを用いた膜製造方法、精製膜製造方法及び装置，大参宏昌，安武潔，垣内弘章，12/084137（出願），2006年09月

14. インド，大気圧水素プラズマを用いた膜製造方法、精製膜製造方法及び装置，大参宏昌，安武潔，垣内弘章，2606/CHENP/2008（出願），2006年09月

15. ヨーロッパ，大気圧水素プラズマを用いた膜製造方法、精製膜製造方法及び装置，大参宏昌，安武潔，垣内弘章，1950797（公開），2006年09月

16. 日本，原子線分光装置，芳井熊安，安武潔，大参宏昌，菅原菜穂子，高林博文，鬼頭弘，特開２００１－６８０５４（登録），1999年11月

17. 日本，低屈折率SiO2反射防止膜の製造方法及びそれを用いて得られる反射防止処理基材，垣内弘章，安武　潔，大参宏昌，石岡宗悟，畠山宏毅，特願2008-155333（出願），2008年06月

18. 日本，Si基板表面の炭化による結晶性SiCの形成方法及び結晶性SiC基板，垣内弘章, 安武　潔, 大参宏昌，PCT/JP2006/322656（登録），2006年11月

19. 日本，Si基板表面の炭化による結晶性SiCの形成方法及び結晶性SiC基板，垣内弘章,大参宏昌,安武　潔，特願2005-329318（登録），2005年11月