基本情報

写真b

大参　宏昌

OHMI Hiromasa


キーワード

薄膜工学,材料科学

URL

http://www-ms.prec.eng.osaka-u.ac.jp/

性別

男性
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所属組織 【 表示 ／ 非表示 】

  • 2001年09月01日 ～ 2007年03月31日，工学研究科 精密科学・応用物理学専攻，助手，専任

  • 2007年04月01日 ～ 2011年03月31日，工学研究科 精密科学・応用物理学専攻，助教，専任

  • 2011年04月01日 ～ 継続中，工学研究科 附属超精密科学研究センター，助教，専任

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学歴 【 表示 ／ 非表示 】

大阪大学 工学部 精密工学科 卒業 1995年03月
大阪大学 工学研究科 精密科学専攻 工学修士 1997年03月
大阪大学 工学研究科 精密科学専攻 工学博士 2001年03月
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職歴 【 表示 ／ 非表示 】

大阪大学大学院工学研究科附属超精密科学研究センター，非常勤研究員 2001年04月 ～ 2001年08月
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研究内容・専門分野 【 表示 ／ 非表示 】

  • 大気圧ミストプラズマ滅菌
    プラズマ科学，薄膜・表面界面物性

  • 大気圧プラズマ化学輸送法の開発
    （大気圧近傍で生成されるプラズマを利用して，CVDに用いられる原料ガスを用いることなく機能薄膜を形成するプロセスです．薄膜の用途は，太陽電池，TFTなどが主体です．）
    プラズマ科学，薄膜・表面界面物性

  • 高圧グロー放電を利用した機能薄膜形成プロセスの開発

  • 大気圧水素プラズマを用いた新規プロセスの開発
    (大気圧プラズマ化学輸送法の研究過程から派生した省資源型薄膜製造プロセスの研究を行っています．）

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所属学会 【 表示 ／ 非表示 】

  • 応用物理学会

  • 精密工学会

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論文 【 表示 ／ 非表示 】

  • PFC-free dry etching method for Si using narrow-gap VHF plasma at subatmospheric pressure，Hiromasa Ohmi, Kazuya Kishimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake，J. Electrochem. Soc.,，Vol. 157, No.2, D85，2010年02月，学術論文

  • purified Si film formation from metallurgical-grade Si by hydrogen plasma induced chemical transport，Hiromasa Ohmi, Akihiro Goto, Daiki Kamada, Yoshinori Hamaoka, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake，Appl. Phys. Lett.，Vo. 95, No.18, pp. 181506，2009年11月，学術論文

  • Impacts of noble gas dilution on Si film structure prepared by atmosphericpressure plasma enhanced chemical transport，Hiromasa Ohmi, Kazuya Kishimoto, Hiroaki Kakiuchi and Kiyoshi Yasutake，J.Phys. D:Applied Physics，Vo.41 pp195208，2008年09月，学術論文

  • Simple dry etching method for Si related materials without etching source gased by atmospheric pressure plasma enhanced chemical transport，Hiromasa Ohmi, Kazuya Kishimoto, Hiroaki Kakiuchi and Kiyoshi Yasutake，Abstracts of　11th international conference on plasma surface engineering，pp.434，2008年09月，国際会議（proceedingsあり）

  • High-rate preparation of thin Si films by atmospheric-pressure plasma enhanced chemical transport，Daiki Kamada, Kazuya Kishimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake and Hiromasa Ohmi，Surf. Interface Anal.，40 [6-7] (2008) 979-983.，2008年06月，学術論文

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著書 【 表示 ／ 非表示 】

  • 専門著書，大気圧プラズマCVDによるSi高速成膜と太陽電池への応用 OPTRONICS, 2012, No. 6, 88-93. （共著），垣内弘章, 大参宏昌, 安武潔，株式会社オプトロニクス社，2012年06月

  • 専門著書，大気圧プラズマCVDによるシリコン薄膜の形成　「改訂版　大気圧プラズマの生成制御と応用技術」 pp.197-219, 2012 （共著），安武潔，垣内弘章，大参宏昌，サイエンス＆テクノロジー株式会社，ＩＳＢＮ，978-4-86428-039-6，2012年03月

  • 専門著書，薄膜Si太陽電池開発に向けたプラズマCVD技術　「大気圧プラズマの技術とプロセス開発」 pp.83-91. 2011 （共著），垣内弘章，大参宏昌，安武潔，株式会社シーエムシー出版，ＩＳＢＮ，978-4-7813-0407-6，2011年08月

  • 専門著書，Preparation of Si-Based Thin Films Using Atmospheric Oressure Plasma Chemical Vapour Deposition (CVD) （共著），K. Yasutake, H. Kakiuchi, H. Ohmi，"Generation and Application of Atmospheric Pressure Plasmas" NOVA，ＩＳＢＮ，978-2-61209-717-6，2011年04月

  • 専門著書，大気圧プラズマを用いた低温・高速成膜技術, ケミカルエンジニヤリング 55[12], pp. 1–7 (2010).，垣内弘章, 大参宏昌, 安武　潔，化学工業社，2010年12月

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特許・実用新案・意匠 【 表示 ／ 非表示 】

  • 日本，膜製造方法，大参宏昌，安武潔，他2名，特願2008-222785（出願），2008年08月

  • 日本，選択的膜製造方法，大参宏昌，安武潔，垣内弘章，WO2009/028188（公開），2008年08月

  • 日本，Si精製方法，Si精製装置及びSi精製膜製造装置，大参宏昌，安武潔，他2名，特願2008-159567（出願），2008年06月

  • 日本，選択的膜製造方法，大参宏昌，安武潔，垣内弘章，特願　2007-225020（出願），2007年08月

  • 日本，プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法，ガス発生装置及びガス発生方法， 並びに，フッ素含有高分子廃棄物処理方法，大参宏昌，安武潔，垣内弘章，特願2007-009637（出願），2007年01月

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受賞 【 表示 ／ 非表示 】

  • 精密工学会沼田記念論文賞，森　勇藏, 芳井熊安, 安武　潔, 垣内弘章, 大参宏昌, 和田勝男，社団法人精密工学会，2004年03月

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報道 【 表示 ／ 非表示 】

  • プラズマ殺菌吹き付け式装置開発，日経産業新聞，2007年04月

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講演会・展示会 【 表示 ／ 非表示 】

  • イノベーションジャパン2007，大気圧ミストプラズマを用いた低温殺菌・滅菌技術，2007年09月

  • セミコンジャパン2006，原子論的生産技術の創出拠点，2006年12月

  • イノベーションジャパン2006，大気圧プラズマCVD法によるエピタキシャルSiの低温高速形成，2006年09月

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