基本情報

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村井 良多

MURAI Ryouta


所属組織 【 表示 / 非表示

  • 2010年04月01日 ~ 2011年02月28日,工学研究科 電気電子情報工学専攻,特任研究員,専任

  • 2017年11月01日 ~ 継続中,レーザー科学研究所,特任研究員(常勤),専任

学歴 【 表示 / 非表示

大阪大学 工学部 電子情報エネルギー工学科 電気電子情報工学専攻 卒業 2005年03月
大阪大学 工学研究科  修了 修士(工学) 2007年03月
大阪大学 工学研究科 電気電子情報工学専攻 修了 博士(工学) 2010年03月

職歴 【 表示 / 非表示

京都大学大学院 エネルギー科学研究科 エネルギー社会・環境科学専攻 太陽電池シリコン結晶科学 研究室・特任研究員 2011年03月 ~ 2011年09月
京都大学大学院 エネルギー科学研究科 エネルギー社会・環境科学専攻 太陽電池シリコン結晶科学 研究室・特定助教 2011年10月 ~ 2012年09月
科学技術振興機構 革新的エネルギー研究開発拠点形成事業 ・研究員 2012年10月 ~ 2016年03月
名古屋大学大学院 工学研究科ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー・中核的研究機関研究員 2016年04月 ~ 2017年10月
 

論文 【 表示 / 非表示

  • Growth of large and high quality CsLiB6O10 crystals from self-flux solutions for high resistance against UV laser-induced degradation,R. Murai, T. Fukuhara, G. Ando,Y. Tanaka, Y. Takahashi, K. Matsumoto, H. Adachi, M. Maruyama, M. Imanishi, K. Kato, M. Nakajima, Y. Mori, and M. Yoshimura,Applied Physics Express,Vol.12, 075501,2019年06月,学術論文

  • Growth of high-quality transparent SrB4O7 single crystals with high degradation resistance for DUV laser application,Y. Tanaka, K. Shikata, R. Murai, Y. Takahashi, M. Imanishi, T. Sugita, Y. Mori, and M. Yoshimura,Applied Physics Express,Vol.11, No.12, pp.125501-1-3,2018年11月,学術論文

  • Applications of novel effects derived from Si ingot growth inside Si melt without contact with crucible wall using noncontact crucible method to high-efficiency solar cells,K. Nakajima, S. Ono, Y. Kaneko, R. Murai, K. Shirasawa, T. Fukuda, H. Takato, M. A. Jensen, A. Youssef, E. Looney, T. Buonassisi, B. Martel, S. Dubois, and A. Jouini,Journal of Crystal Growth ,Vol.468, pp.705-709,2017年06月,学術論文

  • Effect of evaporation on protein crystals grown in semi-solid agarose hydrogel,Shigeru Sugiyama, Mika Hirose, Noriko Shimizu, Mayumi Niiyama, Mihoko Maruyama, Gen Sazaki, Ryota Murai, Hiroaki Adachi, Kazufumi Takano, Satoshi Murakami, Tsuyoshi Inoue, Yusuke Mori and Hiroyoshi Matsumura,Jpn. J. Appl. Phys.,50 (2), 025502 (4 pages),2011年02月,学術論文