基本情報

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森藤 正人

MORIFUJI Masato


キーワード

半導体物理

メールアドレス

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性別

男性

所属組織 【 表示 / 非表示

  • 1998年04月01日 ~ 2005年03月31日,工学研究科,助手,専任

  • 2005年04月01日 ~ 2007年03月31日,工学研究科 電気電子情報工学専攻,助手,専任

  • 2007年04月01日 ~ 継続中,工学研究科 電気電子情報工学専攻,助教,専任

学歴 【 表示 / 非表示

大阪大学 基礎工学部 物性物理工学科 卒業 1985年03月
大阪大学 基礎工学研究科 物理系専攻 修了 1990年03月

職歴 【 表示 / 非表示

大阪大学助手 1990年04月 ~ 継続中
大阪大学大学院工学研究科助教 2007年04月 ~ 継続中

研究内容・専門分野 【 表示 / 非表示

  • 微細半導体の光学的・電気的性質の研究

所属学会 【 表示 / 非表示

  • 応用物理学会

  • 日本物理学会

 

論文 【 表示 / 非表示

  • Periodic magnetoresistance oscillations in side-gated quantum dots,T. Suzuki, H. Momose, M. Morifuji, N. Mori and M. Kondow,Journal of Physics: Conference Series,38,2006年12月,学術論文

  • Stress-Induced Leakage Current in Magnetic Tunnel Junction with Thin AlOx Barrier,T. Mihara, Y. Kamakura, M. Morifuji, and T. Taniguchi,ESC Transactions,6,2007年07月,学術論文

  • Stark ladder States in an Imperfect Crystal : Effect of Impurity Scattering,M. Morifuji and C. Hamaguchi,Physical Review B58,12842,B58,12842,1998年10月,学術論文

  • Theoretical Study on Interband Tunneling of Holes through GaAs/AlAs/GaAs Single-Barrier Structure,M. Morifuji and C. Hamaguchi,Physical Review B, 52/19,14131,52/19,14131,1995年10月,学術論文

  • Electric Field Induced Γ-X Mixing between Stark-Ladders in a Short Period GaAs/AlAs Superlattices,M. Morifuji, M. Yamaguchi, K. Taniguchi and C. Hamaguchi,Physical review B50,8722,B50,8722,1994年05月,学術論文

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著書 【 表示 / 非表示

  • 教科書,金属間化合物の電子構造と磁性,望月和子、井門秀秋、伊藤忠栄、森藤正人,大学教育出版,2007年07月

  • 教科書,量子波のダイナミクス --ファインマン形式による量子力学 --,森藤正人,吉岡書店,2005年11月

  • 一般著書,Mesoscopic Physics and Electronics,M. Morifuji and C. Hamaguchi,Springer,1997年09月

  • 一般著書,メゾスコピック現象の基礎,森藤正人, 浜口智尋,オーム社,1994年02月

特許・実用新案・意匠 【 表示 / 非表示

  • 中国,SEMICONDUCTOR LASER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME,近藤正彦、森藤正人、百瀬英毅、他3名,出願 200910126691.9(登録),2009年03月

  • アメリカ,SEMICONDUCTOR LASER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME,近藤正彦、森藤正人、百瀬英毅、他3名,出願 12/392,453(登録),2009年02月

  • 日本,半導体レーザおよびその製造方法,近藤正彦、森藤正人、百瀬 英毅、他3名,特願2009-019129(登録),2009年01月