基本情報

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寺川 澄雄

TERAKAWA Sumio


所属組織 【 表示 / 非表示

  • 2004年04月01日 ~ 2006年03月31日,産業科学研究所,特任教授,専任

  • 2006年04月01日 ~ 2007年03月31日,産業科学研究所,特任研究員,専任

  • 2007年04月01日 ~ 2015年03月31日,産業科学研究所,特任教授,専任

  • 2015年10月01日 ~ 継続中,産業科学研究所,特任教授,専任

 

論文 【 表示 / 非表示

  • Fabrication of Si Nanoparticles from Si Swarf and Application to Photovoltaic Cells,M. Maeda, T. Matsumoto, S. Terakawa, S. Imai, H. Kobayashi,2012 RCIQE International Seminar,March 5-6, 2012 Conference Hall, Hokkaido University,2012年05月,国際会議(proceedingsなし)

  • Ultra-low power thin film transistors with ultrathin gate oxide layer fabricated by the NAOS (Nitric Acid Oxidation of Si) method and application to mobile electronic devices,T. Matsumoto, Y. Kubota, M. Yamada, H. Tsuji, K. Taniguchi, S. Imai, S. Terakawa, H. Kobayashi,The 15th SANKEN International Symposium and the 10th SANKEN Nanotechnology Symposium,Jan12-13,2012,Japan,2012年01月,国際会議(proceedingsなし)

  • Photoluminescence of Si Nanoparticles Produced from Si Swarf with Photochemical Reactions,T. Matsumoto, J. Furukawa, M. Maeda, S. Terakawa, S. Imai, H. Kobayashi,2012 RCIQE International Seminar, March 5-6, 2012,Conference Hall, Hokkaido University,2011年11月,国際会議(proceedingsなし)

  • Ultra-low power thin film transisitors and liquid crystal displays with ultrathin gate oxide layer fabricated by the NAOS (Nitric Acid Oxidation of Si) method,T. Matsumoto, Y. Kubota, M. Yamada, H. Tsuji, K. Taniguchi, S. Imai, S. Terakawa, H. Kobayashi,7th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium,Nov.10-11,2011、Japan,2011年11月,国際会議(proceedingsなし)

  • Sub-micrometer ultralow power TFT with 1.8 nm NAOS SiO2/20 nm CVD SiO2 gate stack structure,Y. Kubota, T. Matsumoto, S.Imai, M. Yamada, H. Tsuji, K. Taniguchi, S. Terakawa, H. Kobayashi,IEEE Trans. Electron Dev.,58 4 1134-1140 ,2011年04月,学術論文

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