基本情報

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志村 考功

SHIMURA Takayoshi


キーワード

結晶工学,電子デバイス,X線回折学,表面科学

メールアドレス

メールアドレス

電話番号

06-6879-7281

FAX番号

06-6879-7281

URL

http://www-asf.mls.eng.osaka-u.ac.jp/

性別

男性

所属組織 【 表示 / 非表示

  • 1998年08月01日 ~ 2005年03月31日,工学研究科,助手,専任

  • 2005年04月01日 ~ 2005年07月31日,工学研究科 生命先端工学専攻,助手,専任

  • 2005年08月01日 ~ 2007年01月31日,工学研究科 精密科学・応用物理学専攻,助手,専任

  • 2007年02月01日 ~ 2007年03月31日,工学研究科 生命先端工学専攻,助教授,専任

  • 2007年04月01日 ~ 継続中,工学研究科 生命先端工学専攻,准教授,専任

  • 2007年04月01日 ~ 2011年03月31日,先端科学イノベーションセンター,兼任准教授,兼任

学歴 【 表示 / 非表示

名古屋大学 工学部 応用物理学科 卒業 1987年03月
名古屋大学 工学研究科  修了 1989年03月
名古屋大学 工学研究科  単位取得満期退学 1992年03月

職歴 【 表示 / 非表示

大阪大学助手 1993年04月 ~ 2007年01月
大阪大学・准教授 2007年01月 ~ 継続中

研究内容・専門分野 【 表示 / 非表示

  • 次世代半導体材料の創成及びデバイス実証
    応用物性関連

  • 高精度X線撮像装置の開発
    光工学および光量子科学関連

  • X線回折法による結晶表面、界面、薄膜、ナノ構造の研究
    応用物性関連

所属学会 【 表示 / 非表示

  • 放射光学会

  • 結晶学会

  • 応用物理学会

  • 物理学会

 

論文 【 表示 / 非表示

  • Characterization of Surface Potential of Oxidized Silicon Carbide by a Laser Terahertz Emission Microscope,Tatsuhiko Nishimura, Hidetoshi Nakanishi, Iwao Kawayama, Masayoshi Tonouchi, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe,ICSCRM2019,2019年10月,国際会議(proceedingsあり)

  • Insight into Channel Conduction Mechanisms of 4H-SiC(0001) MOSFET based on Temperature-dependent Hall Effect Measurement,H. Takeda, M. Sometani, T. Hosoi, T. Shimura, H. Yano, and H. Watanabe,ICSCRM2019,2019年10月,国際会議(proceedingsあり)

  • Interface Engineering of SiC MOS Devices by High-temperature CO2 Treatment,Takuji Hosoi, Momoe Ohsako, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe,ICSCRM2019,2019年10月,国際会議(proceedingsあり)

  • Ideal phonon-scattering-limited mobility in inversion channels of 4H-SiC(0001) MOSFETs with ultralow net doping concentrations,Mitsuru Sometani, Takuji Hosoi, Hirohisa Hirai, Tetsuo Hatakeyama, Shinsuke Harada, Hiroshi Yano, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Yoshiyuki Yonezawa, and Hajime Okumura,Volume 115, Issue 13,2019年09月,学術論文

  • Gate stack engineering for GaN power MOSFETs,T. Hosoi, M. Nozaki, T. Shimura and H. Watanabe,TWHM 2019,2019年08月,国際会議(proceedingsあり)

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著書 【 表示 / 非表示

  • その他,Analysis of Orderd Structure of Buried Oxide Layers in SIMOX Waters,志村考功,,1999年

  • その他,Advances in the Understanding of Crystal Growth Mechanisms,Takayoshi Shimura,Elsevier Science,1997年03月

  • その他,Thermally Oxidized Layers on Si-wafers-Surface X-ray Scattering and Field Ion Microscopy-(共著),志村考功,,1997年

  • その他,Structure of thermal Oxide on(111)and(011)Si Wafers(共著),志村考功,,1996年

  • その他,X-RAY DIFFRACTION EVIDENCE FOR CRYSTALLINE SiO┣D22┫D2 IN THERMAL OXIDE LAYERS ON Si SUBSTRATES(共著),志村考功,,1996年

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特許・実用新案・意匠 【 表示 / 非表示

  • 日本,X線位相差撮像装置,佐野 哲、田邊 晃一、吉牟田 利典、木村 健士、岸原 弘之、和田 幸久、和泉 拓朗、白井 太郎、土岐 貴弘、堀場 日明、志村 考功、渡部 平司、細井 卓治,2016-148428(出願),2016年07月

  • 日本,単結晶状GeSn含有材料の製造方法および単結晶状GeSn含有材料基板,志村考功、渡部平司、細井卓治,特願2012-042746(出願),2012年02月

受賞 【 表示 / 非表示

  • 第8回(2016年秋季)応用物理学会 Poster Award,冨田 崇史, 岡 博史, 小山 真広, 田中 章吾, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,公益社団法人 応用物理学会 ,2016年09月

  • 第7回(2016年春季)応用物理学会 Poster Award,小川慎吾, 淺原亮平, 箕浦佑也, 迫秀樹,川崎直彦, 山田一子, 宮本隆志, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司,応用物理学会,2016年03月

  • 第3回(2014年春季)応用物理学会 Poster Award ,小川慎吾, 川崎直彦, 木村耕輔, 田中亮平, 箕浦佑也, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司,応用物理学会,2014年03月

  • 2008 IWDTF Best Poster Award,T. Shimura, Y. Okamoto, T. Inoue, T. Hosoi, H. Watanabe ,The Japan Society of Applied Physics, Japan,2008年11月

報道 【 表示 / 非表示

  • GaN製パワー半導体 パナソニックが基地局向け,日本経済新聞(電子版),2018年02月

  • 5G基地局向け半導体 小型で大電流耐える,日経産業新聞,2018年02月

  • 大電力電源機器を高速・小型化 絶縁ゲート型GaNパワートランジスタ,日刊工業新聞,2018年02月

  • 連続安定駆動が可能 MIS型GaNパワーTR,電波新聞,2018年02月

  • 大阪大学ら SiC絶縁耐圧1.5倍 AlON膜で信頼性向上,半導体産業新聞,2012年12月

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講演会・展示会 【 表示 / 非表示

  • 放射光を用いた結晶評価の新展開 ~X線トポグラフィーによる半導体評価を中心として~,半導体薄膜からのX線回折とトポグラフィー,2008年11月

会議運営 【 表示 / 非表示

  • 国際会議,The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018,2018年11月

  • 国際会議,Third International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology,2010年11月

  • 国際会議,Second International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology,Program Committee,2009年11月

  • 国際会議,First International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology -Surface and Thin Film Processing -,2009年02月

  • 国際会議,The 4th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials,Organizing Committee,2004年11月