基本情報

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志村 考功

SHIMURA Takayoshi


キーワード

結晶工学,電子デバイス,X線回折学,表面科学

メールアドレス

メールアドレス

電話番号

06-6879-7281

FAX番号

06-6879-7281

URL

http://www-asf.mls.eng.osaka-u.ac.jp/

性別

男性

所属組織 【 表示 / 非表示

  • 1998年08月01日 ~ 2005年03月31日,工学研究科,助手,専任

  • 2005年04月01日 ~ 2005年07月31日,工学研究科 生命先端工学専攻,助手,専任

  • 2005年08月01日 ~ 2007年01月31日,工学研究科 精密科学・応用物理学専攻,助手,専任

  • 2007年02月01日 ~ 2007年03月31日,工学研究科 生命先端工学専攻,助教授,専任

  • 2007年04月01日 ~ 継続中,工学研究科 生命先端工学専攻,准教授,専任

  • 2007年04月01日 ~ 2011年03月31日,先端科学イノベーションセンター,兼任准教授,兼任

学歴 【 表示 / 非表示

名古屋大学 工学部 応用物理学科 卒業 1987年03月
名古屋大学 工学研究科  修了 1989年03月
名古屋大学 工学研究科  単位取得満期退学 1992年03月

職歴 【 表示 / 非表示

大阪大学助手 1993年04月 ~ 2007年01月
大阪大学・准教授 2007年01月 ~ 継続中

研究内容・専門分野 【 表示 / 非表示

  • 次世代半導体材料の創成及びデバイス実証
    応用物性関連

  • 高精度X線撮像装置の開発
    光工学および光量子科学関連

  • X線回折法による結晶表面、界面、薄膜、ナノ構造の研究
    応用物性関連

所属学会 【 表示 / 非表示

  • 放射光学会

  • 結晶学会

  • 応用物理学会

  • 物理学会

 

論文 【 表示 / 非表示

  • High-mobility P- and N-channel GeSn Thin-film Transistors on Transparent Substrate Fabricated by Nucleation-controlled Liquid-phase Crystallization,T. Hosoi, H. Oka, K. Inoue, Y. Wada, T. Shimura, and H. Watanabe,SISC 2018,2018年12月,国際会議(proceedingsあり)

  • Improved reliability of SiO2/GaN MOS devices by controlling the oxide interlayer,Takahiro Yamada, Daiki Terashima, Mikito Nozaki, Hisashi Yamada, Tokio Takahashi, Mitsuaki Shimizu, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, and Heiji Watanabe,International Workshop on Nitride Semiconductors 2018,2018年11月,国際会議(proceedingsあり)

  • Comparative study of thermal decomposition of thin Ga oxide layer on GaN and AlGaN surfaces,Mikito Nozaki, Daiki Terashima, Takahiro Yamada, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, and Heiji Watanabe,International Workshop on Nitride Semiconductors 2018,2018年11月,国際会議(proceedingsあり)

  • Mobility enhancement in AlGaN/GaN MOS-HFET with gate recess etching by using AION gate insulator,Takuji Hosoi, Kenta Watanabe, Mikito Nozaki, Takahiro Yamada, Takayoshi Shimura, and Heiji Watanabe,International Workshop on Nitride Semiconductors 2018,2018年11月,国際会議(proceedingsあり)

  • 超低実効pエピ濃度基板を用いて評価した4H-SiC(0001) MOSFETの反転チャネル電子の散乱要因,染谷満, 細井卓治, 平井悠久, 畠山哲夫, 原田信介, 矢野裕司, 志村考功, 渡部平司, 米澤喜幸, 奥村元,先進パワー半導体分科会 第5回講演会,2018年11月,会議報告/口頭発表

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著書 【 表示 / 非表示

  • その他,Analysis of Orderd Structure of Buried Oxide Layers in SIMOX Waters,志村考功,,1999年

  • その他,Advances in the Understanding of Crystal Growth Mechanisms,Takayoshi Shimura,Elsevier Science,1997年03月

  • その他,Thermally Oxidized Layers on Si-wafers-Surface X-ray Scattering and Field Ion Microscopy-(共著),志村考功,,1997年

  • その他,X-RAY DIFFRACTION EVIDENCE FOR CRYSTALLINE SiO┣D22┫D2 IN THERMAL OXIDE LAYERS ON Si SUBSTRATES(共著),志村考功,,1996年

  • その他,Structure of thermal Oxide on(111)and(011)Si Wafers(共著),志村考功,,1996年

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特許・実用新案・意匠 【 表示 / 非表示

  • 日本,単結晶状GeSn含有材料の製造方法および単結晶状GeSn含有材料基板,志村考功、渡部平司、細井卓治,特願2012-042746(出願),2012年02月

受賞 【 表示 / 非表示

  • 第8回(2016年秋季)応用物理学会 Poster Award,冨田 崇史, 岡 博史, 小山 真広, 田中 章吾, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,公益社団法人 応用物理学会 ,2016年09月

  • 第7回(2016年春季)応用物理学会 Poster Award,小川慎吾, 淺原亮平, 箕浦佑也, 迫秀樹,川崎直彦, 山田一子, 宮本隆志, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司,応用物理学会,2016年03月

  • 第3回(2014年春季)応用物理学会 Poster Award ,小川慎吾, 川崎直彦, 木村耕輔, 田中亮平, 箕浦佑也, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司,応用物理学会,2014年03月

  • 2008 IWDTF Best Poster Award,T. Shimura, Y. Okamoto, T. Inoue, T. Hosoi, H. Watanabe ,The Japan Society of Applied Physics, Japan,2008年11月

報道 【 表示 / 非表示

  • GaN製パワー半導体 パナソニックが基地局向け,日本経済新聞(電子版),2018年02月

  • 5G基地局向け半導体 小型で大電流耐える,日経産業新聞,2018年02月

  • 大電力電源機器を高速・小型化 絶縁ゲート型GaNパワートランジスタ,日刊工業新聞,2018年02月

  • 連続安定駆動が可能 MIS型GaNパワーTR,電波新聞,2018年02月

  • 大阪大学ら SiC絶縁耐圧1.5倍 AlON膜で信頼性向上,半導体産業新聞,2012年12月

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講演会・展示会 【 表示 / 非表示

  • 放射光を用いた結晶評価の新展開 ~X線トポグラフィーによる半導体評価を中心として~,半導体薄膜からのX線回折とトポグラフィー,2008年11月

会議運営 【 表示 / 非表示

  • 国際会議,Third International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology,2010年11月

  • 国際会議,Second International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology,Program Committee,2009年11月

  • 国際会議,First International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology -Surface and Thin Film Processing -,2009年02月

  • 国際会議,The 4th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials,Organizing Committee,2004年11月