基本情報

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細井 卓治

HOSOI Takuji


キーワード

半導体工学

メールアドレス

メールアドレス

電話番号

06-6879-7282

FAX番号

06-6879-7282

URL

http://www-asf.mls.eng.osaka-u.ac.jp/

性別

男性

所属組織 【 表示 / 非表示

  • 2007年04月01日 ~ 継続中,工学研究科 生命先端工学専攻,助教,専任

学歴 【 表示 / 非表示

大阪大学 工学部 応用自然科学科 卒業 1999年03月
大阪大学 工学研究科 物質・生命工学専攻 修了 2001年03月
大阪大学 工学研究科 電子情報エネルギー工学専攻 単位取得満期退学 2004年03月
大阪大学 工学研究科 電子情報エネルギー工学専攻 単位取得満期退学 博士(工学) 2005年03月

職歴 【 表示 / 非表示

広島大学ナノデバイス・システム研究センター 研究員 2004年04月 ~ 2007年03月
大阪大学 大学院工学研究科 生命先端工学専攻 助教 2007年04月 ~ 継続中

研究内容・専門分野 【 表示 / 非表示

  • SiCパワーMOSデバイスプロセスの開発
    電気電子材料工学関連

  • 次世代半導体デバイスのためのメタル/高誘電率膜ゲートスタックの開発
    電気電子材料工学関連,電子デバイスおよび電子機器関連

所属学会 【 表示 / 非表示

  • 応用物理学会

  • IEEE Electron Device Society

 

論文 【 表示 / 非表示

  • Characterization of Surface Potential of Oxidized Silicon Carbide by a Laser Terahertz Emission Microscope,Tatsuhiko Nishimura, Hidetoshi Nakanishi, Iwao Kawayama, Masayoshi Tonouchi, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe,ICSCRM2019,2019年10月,国際会議(proceedingsあり)

  • Insight into Channel Conduction Mechanisms of 4H-SiC(0001) MOSFET based on Temperature-dependent Hall Effect Measurement,H. Takeda, M. Sometani, T. Hosoi, T. Shimura, H. Yano, and H. Watanabe,ICSCRM2019,2019年10月,国際会議(proceedingsあり)

  • Interface Engineering of SiC MOS Devices by High-temperature CO2 Treatment,Takuji Hosoi, Momoe Ohsako, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe,ICSCRM2019,2019年10月,国際会議(proceedingsあり)

  • Ideal phonon-scattering-limited mobility in inversion channels of 4H-SiC(0001) MOSFETs with ultralow net doping concentrations,Mitsuru Sometani, Takuji Hosoi, Hirohisa Hirai, Tetsuo Hatakeyama, Shinsuke Harada, Hiroshi Yano, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Yoshiyuki Yonezawa, and Hajime Okumura,Volume 115, Issue 13,2019年09月,学術論文

  • Gate stack engineering for GaN power MOSFETs,T. Hosoi, M. Nozaki, T. Shimura and H. Watanabe,TWHM 2019,2019年08月,国際会議(proceedingsあり)

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特許・実用新案・意匠 【 表示 / 非表示

  • 日本,X線位相差撮像装置,佐野 哲、田邊 晃一、吉牟田 利典、木村 健士、岸原 弘之、和田 幸久、和泉 拓朗、白井 太郎、土岐 貴弘、堀場 日明、志村 考功、渡部 平司、細井 卓治,2016-148428(出願),2016年07月

  • 日本,単結晶状GeSn含有材料の製造方法および単結晶状GeSn含有材料基板,志村考功、渡部平司、細井卓治,特願2012-042746(出願),2012年02月

  • 日本,半導体装置およびその製造方法,芝原健太郎、細井卓治、今井清隆、青山敬幸、仲敏男、松橋英明、吉丸正樹、法澤公成、佐野孝輔,特開2008-41767(公開),2006年08月

  • 日本,ゲルマニウム(Ge)半導体デバイス製造方法,芝原健太郎、福永哲也、細井卓治,特開2008-041988(公開),2006年08月

受賞 【 表示 / 非表示

  • 第8回(2016年秋季)応用物理学会 Poster Award,冨田 崇史, 岡 博史, 小山 真広, 田中 章吾, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,公益社団法人 応用物理学会 ,2016年09月

  • 第7回(2016年春季)応用物理学会 Poster Award,小川慎吾, 淺原亮平, 箕浦佑也, 迫秀樹,川崎直彦, 山田一子, 宮本隆志, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司,応用物理学会,2016年03月

  • 第4回(平成27年度)大阪大学総長奨励賞(研究部門),細井 卓治,大阪大学,2015年07月

  • 第3回(2014年春季)応用物理学会 Poster Award ,小川慎吾, 川崎直彦, 木村耕輔, 田中亮平, 箕浦佑也, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司,応用物理学会,2014年03月

  • 第2回(平成25年度)大阪大学総長奨励賞(研究部門),細井 卓治,大阪大学,2013年08月

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報道 【 表示 / 非表示

  • GaN製パワー半導体 パナソニックが基地局向け,日本経済新聞(電子版),2018年02月

  • 5G基地局向け半導体 小型で大電流耐える,日経産業新聞,2018年02月

  • 大電力電源機器を高速・小型化 絶縁ゲート型GaNパワートランジスタ,日刊工業新聞,2018年02月

  • 連続安定駆動が可能 MIS型GaNパワーTR,電波新聞,2018年02月

  • SiC MOSFET 高誘電率ゲート絶縁膜採用 阪大など 漏れ電流9割低減,日刊工業新聞,2012年12月

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会議運営 【 表示 / 非表示

  • 国際会議,International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019),庶務,2019年09月

  • 国際会議,2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),プログラム委員 JJAP特集号責任編集委員,2019年09月

  • 国内重要会議, 第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- ,実行プログラム委員,2019年01月

  • 国際会議,2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM),プログラム委員 JJAP特集号責任編集委員,2018年09月

  • 国内重要会議,第23回電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理-,実行プログラム委員,2018年01月

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学外運営 【 表示 / 非表示

  • 学会,応用物理学会・先進パワー半導体分科会,庶務幹事,2019年04月 ~ 継続中

  • 国・地方公共団体,文部科学省 科学技術・学術政策研究所 科学技術予測センター,NISTEP専門調査員,2018年04月 ~ 継続中

  • 学会,電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会,専門委員,2017年04月 ~ 継続中

  • 学会,応用物理学会,Japanese Journal of Applied Physics (JJAP) 編集委員,2012年04月 ~ 2019年03月