基本情報

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細井 卓治

HOSOI Takuji


キーワード

半導体工学

メールアドレス

メールアドレス

電話番号

06-6879-7282

FAX番号

06-6879-7282

URL

http://www-asf.mls.eng.osaka-u.ac.jp/

性別

男性

所属組織 【 表示 / 非表示

  • 2007年04月01日 ~ 継続中,工学研究科 生命先端工学専攻,助教,専任

学歴 【 表示 / 非表示

大阪大学 工学部 応用自然科学科 卒業 1999年03月
大阪大学 工学研究科 物質・生命工学専攻 修了 2001年03月
大阪大学 工学研究科 電子情報エネルギー工学専攻 単位取得満期退学 2004年03月
大阪大学 工学研究科 電子情報エネルギー工学専攻 単位取得満期退学 博士(工学) 2005年03月

職歴 【 表示 / 非表示

広島大学ナノデバイス・システム研究センター 研究員 2004年04月 ~ 2007年03月
大阪大学 大学院工学研究科 生命先端工学専攻 助教 2007年04月 ~ 継続中

研究内容・専門分野 【 表示 / 非表示

  • 次世代半導体デバイスのためのメタル/高誘電率膜ゲートスタックの開発
    電気電子材料工学関連,電子デバイスおよび電子機器関連

  • SiCパワーMOSデバイスプロセスの開発
    電気電子材料工学関連

所属学会 【 表示 / 非表示

  • 応用物理学会

  • IEEE Electron Device Society

 

論文 【 表示 / 非表示

  • Effect of incorporating Hf atoms in AlON gate dielectrics on hole leakage current,T. Nagura, K. Chokawa, M. Araidai, T. Hosoi, H. Watanabe, A. Oshiyama, and K. Shiraishi,SISC 2018,2018年12月,国際会議(proceedingsあり)

  • High-mobility P- and N-channel GeSn Thin-film Transistors on Transparent Substrate Fabricated by Nucleation-controlled Liquid-phase Crystallization,T. Hosoi, H. Oka, K. Inoue, Y. Wada, T. Shimura, and H. Watanabe,SISC 2018,2018年12月,国際会議(proceedingsあり)

  • Improved reliability of SiO2/GaN MOS devices by controlling the oxide interlayer,Takahiro Yamada, Daiki Terashima, Mikito Nozaki, Hisashi Yamada, Tokio Takahashi, Mitsuaki Shimizu, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, and Heiji Watanabe,International Workshop on Nitride Semiconductors 2018,2018年11月,国際会議(proceedingsあり)

  • Comparative study of thermal decomposition of thin Ga oxide layer on GaN and AlGaN surfaces,Mikito Nozaki, Daiki Terashima, Takahiro Yamada, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, and Heiji Watanabe,International Workshop on Nitride Semiconductors 2018,2018年11月,国際会議(proceedingsあり)

  • Mobility enhancement in AlGaN/GaN MOS-HFET with gate recess etching by using AION gate insulator,Takuji Hosoi, Kenta Watanabe, Mikito Nozaki, Takahiro Yamada, Takayoshi Shimura, and Heiji Watanabe,International Workshop on Nitride Semiconductors 2018,2018年11月,国際会議(proceedingsあり)

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特許・実用新案・意匠 【 表示 / 非表示

  • 日本,単結晶状GeSn含有材料の製造方法および単結晶状GeSn含有材料基板,志村考功、渡部平司、細井卓治,特願2012-042746(出願),2012年02月

  • 日本,半導体装置およびその製造方法,芝原健太郎、細井卓治、今井清隆、青山敬幸、仲敏男、松橋英明、吉丸正樹、法澤公成、佐野孝輔,特開2008-41767(公開),2006年08月

  • 日本,ゲルマニウム(Ge)半導体デバイス製造方法,芝原健太郎、福永哲也、細井卓治,特開2008-041988(公開),2006年08月

受賞 【 表示 / 非表示

  • 第8回(2016年秋季)応用物理学会 Poster Award,冨田 崇史, 岡 博史, 小山 真広, 田中 章吾, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司,公益社団法人 応用物理学会 ,2016年09月

  • 第7回(2016年春季)応用物理学会 Poster Award,小川慎吾, 淺原亮平, 箕浦佑也, 迫秀樹,川崎直彦, 山田一子, 宮本隆志, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司,応用物理学会,2016年03月

  • 第4回(平成27年度)大阪大学総長奨励賞(研究部門),細井 卓治,大阪大学,2015年07月

  • 第3回(2014年春季)応用物理学会 Poster Award ,小川慎吾, 川崎直彦, 木村耕輔, 田中亮平, 箕浦佑也, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司,応用物理学会,2014年03月

  • 第2回(平成25年度)大阪大学総長奨励賞(研究部門),細井 卓治,大阪大学,2013年08月

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報道 【 表示 / 非表示

  • GaN製パワー半導体 パナソニックが基地局向け,日本経済新聞(電子版),2018年02月

  • 5G基地局向け半導体 小型で大電流耐える,日経産業新聞,2018年02月

  • 大電力電源機器を高速・小型化 絶縁ゲート型GaNパワートランジスタ,日刊工業新聞,2018年02月

  • 連続安定駆動が可能 MIS型GaNパワーTR,電波新聞,2018年02月

  • SiC MOSFET 高誘電率ゲート絶縁膜採用 阪大など 漏れ電流9割低減,日刊工業新聞,2012年12月

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会議運営 【 表示 / 非表示

  • 国際会議,International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019),2019年09月

  • 国際会議,2017 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY- ,Program Committee,2017年11月

  • 国際会議,The 17th International Workshop on Junction Technology (IWJT2017) ,プログラム委員,2017年06月

  • 国内重要会議,先進パワー半導体分科会 第2回講演会,実行委員,2015年11月

  • 国際会議,2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY-,2015年11月

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学外運営 【 表示 / 非表示

  • 国・地方公共団体,文部科学省 科学技術・学術政策研究所 科学技術予測センター,NISTEP専門調査員,2018年04月 ~ 継続中

  • 学会,応用物理学会,Japanese Journal of Applied Physics (JJAP) 編集委員,2012年04月 ~ 継続中