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IMADE Mamoru


キーワード

電気材料工学

メールアドレス

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電話番号

06-6879-7705

FAX番号

06-6879-7708

性別

男性

所属組織 【 表示 / 非表示

  • 2007年04月01日 ~ 2009年09月30日,工学研究科 電気電子情報工学専攻,特任研究員,専任

  • 2009年10月01日 ~ 2011年06月30日,工学研究科,特任助教(常勤),専任

  • 2011年07月01日 ~ 2013年03月31日,工学研究科 電気電子情報工学専攻,助教,専任

  • 2013年04月01日 ~ 2013年04月15日,工学研究科 附属アトミックデザイン研究センター,助教,専任

  • 2013年04月16日 ~ 2016年07月31日,工学研究科 附属アトミックデザイン研究センター,助教,専任

  • 2016年08月01日 ~ 継続中,工学研究科 電気電子情報工学専攻,准教授,専任

 

論文 【 表示 / 非表示

  • Enhancement of lateral growth of the GaN crystal with extremely low dislocation density during,M. Hayashi, M. Imanishi, T. Yamada, D. Matsuo, K. Murakami, M. Maruyama, M. Imade, ,Journal of Crystal Growth,Vol.468, pp.827-830,2017年06月,学術論文

  • Increase in the growth rate of GaN crystals by using gaseous methane in the Na flux method,K. Murakami, S. Ogawa, M. Imanishi, M. Imade, M. Maruyama, M. Yoshimura and Y. Mori,Japanese Journal of Applied Physics,Vol.56, pp.055502-1 - 055502-4,2017年04月,学術論文

  • Effect of flux composition ratio on the coalescence growth of GaN crystals by the Na-flux method,M. Honjo, M. Imanishi, H. Imabayashi, K. Nakamura, K. Murakami, D. Matsuo, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, and Y.e Mori,Optical Materials,Vol.65, pp.38-41,2017年03月,学術論文

  • Development of GaN substrate with a large diameter and small orientation deviation,T. Yoshida, M. Imanishi, T. Kitamura, K. Otaka, M. Imade, M. Shibata, and Y. Mori,Physica Status Solidi B,Vol.254, No.3, pp.1600671/1-4,2017年03月,学術論文

  • Effects of Al additives on growth of GaN polycrystals by the Na flux method,H. Imabayashi, K. Murakami, D. Matsuo, M. Honjo, M. Imanishi, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura and Y. Mori,Optical Materials,Vol.65, pp.42-45,2017年03月,学術論文

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著書 【 表示 / 非表示

  • 専門著書,窒化物基板および格子整合基板の成長とデバイス特性,森勇介、北岡康夫、川村史郎、今出完、吉村政志、佐々木孝友,シーエムシー出版,ISBN, 978-4-7813-0133-4,2009年10月

  • 専門著書,次世代パワー半導体,森勇介、北岡康夫、川村史郎、今出完、吉村政志、佐々木孝友,株式会社エヌ・ティー・エス,ISBN, 978-4-86043-262-1 ,2009年10月

特許・実用新案・意匠 【 表示 / 非表示

  • 日本,2H炭化珪素単結晶の製造方法,山崎昌信, 伊藤進朗, 奥田裕之, 今出完, 川村史朗, 北岡康夫, 森勇介,特願2009-116730(出願),2009年05月

  • 日本,III族元素窒化物結晶の製造方法およびそれにより得られるIII族元素窒化物結晶,森勇介, 佐々木孝友, 北岡康夫, 川村史朗, 今出完, 山田憲秀,特願2008-078895(出願),2008年03月

  • 日本,2H炭化珪素単結晶の製造方法およびそれにより得られた2H炭化珪素単結晶,山崎昌信, 森勇介, 川村史朗, 北岡康夫, 今出完, 小椋隆史, 上村昌弘,特願2007-280694(出願),2007年10月

  • 日本,炭化珪素単結晶基板およびその製造方法,山崎昌信, 森勇介, 佐々木孝友,川村史朗, 北岡康夫, 今出完, 小椋隆史,特願2007-079500(出願),2007年03月

  • 日本,III族元素窒化物単結晶の製造方法、それに用いる装置および前記製造方法により得られたIII族元素窒化物単結晶,佐々木孝友, 森勇介, 吉村政志, 川村史朗, 甲斐靖規, 今出完, 北岡康夫, 峯本尚, 木戸口勲,特許第3923950号(出願),2007年03月

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受賞 【 表示 / 非表示

  • 日本結晶成長学会第21回技術賞,森勇介, 吉村政志, 今出完, 丸山美帆子,日本結晶成長学会,2014年11月

  • 第34回(2013年春季)応用物理学会講演奨励賞,今出完,公益社団法人応用物理学会,2013年05月

  • 第4回窒化物半導体結晶成長講演会「研究奨励賞」,今出完,日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会,2012年04月

  • 第3回キャンパスベンチャーグランプリ全国大会 TDK賞,今出完,日刊工業新聞社,2007年03月

  • 第8回キャンパスベンチャーグランプリ大阪 テクノロジー大賞,今出完,日刊工業新聞社,2007年01月