基本情報

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近藤 正彦

KONDOW Masahiko


キーワード

半導体物性、結晶成長、光素子

メールアドレス

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URL

http://www.e3.eei.eng.osaka-u.ac.jp/

所属組織 【 表示 / 非表示

  • 2005年05月01日 ~ 継続中,工学研究科 電気電子情報通信工学専攻,教授,専任

  • 2010年04月01日 ~ 継続中,ナノサイエンスデザイン教育研究センター,教授,兼任

学歴 【 表示 / 非表示

大阪大学 基礎工学部 電気工学科 卒業 工学士 1984年03月
大阪大学 基礎工学研究科 物理系専攻 修了 工学修士 1986年03月
大阪大学 基礎工学研究科  工学博士 1991年02月

職歴 【 表示 / 非表示

(株)日立製作所 中央研究所 研修員 1986年04月 ~ 1987年05月
(株)日立製作所 中央研究所 企画員 1987年05月 ~ 1991年08月
(株)日立製作所 中央研究所 研究員 1991年08月 ~ 1998年08月
University of California, San Diego (UCSD)、客員研究員 1998年01月 ~ 1999年01月
(株)日立製作所 中央研究所 主任研究員 1998年08月 ~ 2005年04月
大阪大学 大学院 工学研究科 教授 2005年05月 ~ 継続中

研究内容・専門分野 【 表示 / 非表示

  • III-V族半導体の結晶成長、物性評価、並びに、光電子デバイスへの応用
    特にGaInNAs(ゲイナス)などのIII-N-V混晶半導体において先導的に研究を推進
    電子デバイスおよび電子機器関連,電気電子材料工学関連

所属学会 【 表示 / 非表示

  • 応用物理学会

  • 電子情報通信学会

 

論文 【 表示 / 非表示

  • Molecular beam epitaxy of GaNAs and GaInNAs,M. Kondow and T. Kitatani,Semiconductor Science and Technology,Vol. 17, pp.746-754,2002年04月,学術論文

  • GaInNAs: A novel material for long-wavelength-range laser diodes with excellent high-temperature performance,M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, and Y. Yazawa,Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 35, pp. 1273-1275,1996年04月,学術論文

  • Atomic arrangement of spontaneously ordered Al0.5In0.5P/GaAs,M. Kondow, H. Kakibayashi, and S. Minagawa,Physical Review B,Vol. 40, pp. 1159-1163,1989年04月,学術論文

  • Ordered structure in Ga0.7In0.3P alloy,M. Kondow, H. Kakibayashi, T. Tanaka, and S. Minagawa,Physical Review Letters,Vol. 63, pp. 884-886,1989年04月,学術論文

  • 黄色発光ポリパラフェニレンビニレン系高分子薄膜の加熱処理効果と異種共役高分子によるトップゲート型ヘテロ構造高分子発光トランジスタへの展開,梶井博武、近藤正彦,電子情報通信学会論文誌 C,Vol.J103-C,No.4, pp.211-218,2020年04月,学術論文

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著書 【 表示 / 非表示

  • 専門著書,Physics and Applications of Dilute Nitrides; Chapter 11 “GaInNAs Long-wavelength Lasers for 1.3-µm-range Applications”,Buyanova et al.,Taylor & Francis,2004年09月

  • 専門著書,III族窒化物半導体; 第17章“AlGaInNAsデバイス”,赤﨑 勇 他,培風館,1999年12月

  • 専門著書,「電子材料ハンドブック」第3.4.5章“その他の窒化物半導体”,木村忠正 他,朝倉書店,2006年11月

特許・実用新案・意匠 【 表示 / 非表示

  • 日本,光素子,皆川重量 佐藤信 近藤正彦 内田憲治,2564315(登録),1987年08月,1996年09月

  • アメリカ,半導体素子,近藤正彦 魚見和久 中村均,5937274(登録),1995年01月,1999年08月

  • アメリカ,面発光半導体レーザ及び当該レーザを用いた光送信モジュール,近藤正彦 篠田和典 魚見和久,5912913(登録),1995年12月,1999年06月

  • 中国,SEMICONDUCTOR LASER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME,近藤正彦、森藤正人、百瀬英毅、他3名,出願 200910126691.9(登録),2009年03月

  • アメリカ,SEMICONDUCTOR LASER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME,近藤正彦、森藤正人、百瀬英毅、他3名,出願 12/392,453(登録),2009年02月

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受賞 【 表示 / 非表示

  • The 28th International Symposium on Compound Semiconductors: Young Scientist Award,近藤 正彦,Awards Committee of the 28th International Symposium on Compound Semiconductors,2001年10月

  • 第28回日立返仁会空盡賞,近藤 正彦,日立返仁会,1997年10月

  • 第9回(2015)応用物理学会フェロー表彰,近藤 正彦,応用物理学会,2015年09月