所属組織 【 表示 / 非表示 】
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1998年05月01日 ~ 2003年03月31日,工学研究科,助手,専任
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2003年04月01日 ~ 2007年03月31日,工学研究科 附属原子分子イオン制御理工学センター,助教授,専任
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2007年04月01日 ~ 2013年03月31日,工学研究科 附属原子分子イオン制御理工学センター,准教授,専任
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2013年04月01日 ~ 2013年04月15日,工学研究科 附属アトミックデザイン研究センター,准教授,専任
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2013年04月16日 ~ 継続中,工学研究科 附属アトミックデザイン研究センター,准教授,専任
学歴 【 表示 / 非表示 】
京都大学 理学部 卒業 | 理学士 | 1992年03月 |
京都大学 理学研究科 物理学第一専攻 修了 | 理学修士 | 1994年03月 |
京都大学 理学研究科 物理学・宇宙物理学専攻 単位取得満期退学 | 1997年03月 | |
京都大学 理学研究科 物理学・宇宙物理学専攻 修了 | 博士(理学) | 2000年01月 |
論文 【 表示 / 非表示 】
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Production of low-energy SiCH3+ and SiC2H7+ ion beams for 3C-SiC film formation by selecting fragment ions from dimethylsilane,S. Yoshimura, S. Sugimoto, T. Takeuchi, K. Murai, M. Kiuchi,Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B,487 85-89,2021年01月,学術論文
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Production of low-energy fragment-ion beams from hexamethyldisiloxane and the irradiation of SiO+ ion beam to substrates with supplemental oxygen gas for SiO2 film formation,S. Yoshimura, S. Sugimoto, T. Takeuchi, M. Kiuchi,Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B,Vol. 479, pp. 13-17,2020年09月,学術論文
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Characteristics of films deposited by the irradiation of GeCHx+ ions produced from hexamethyldigermane and their dependence on the injected ion energy,S. Yoshimura, S. Sugimoto, T. Takeuchi, K. Murai, M. Kiuchi,Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B,Vol. 461, pp. 1-5,2019年12月,学術論文
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Effects of injected ion energy on silicon carbide film formation by low-energy SiCH3+ beam irradiation,S. Yoshimura, S. Sugimoto, T. Takeuchi, K Murai, M. Kiuchi,Thin Solid Films,Vol. 685, pp. 408-413.,2019年09月,学術論文
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Low-energy mass-selected ion beam deposition of silicon carbide with Bernas-type ion source using methylsilane,S. Yoshimura, S. Sugimmoto, T. Takeuchi, K. Murai, M. Kiuchi,AIP Advances,Vol. 9, 095051,2019年09月,学術論文
学外運営 【 表示 / 非表示 】
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学会,応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会,幹事,2006年04月 ~ 2008年03月
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学会,社団法人 高温学会,評議員,2005年05月 ~ 2007年05月