所属組織 【 表示 ／ 非表示 】
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1998年05月01日 ～ 2003年03月31日，工学研究科，助手，専任
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2003年04月01日 ～ 2007年03月31日，工学研究科 附属原子分子イオン制御理工学センター，助教授，専任
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2007年04月01日 ～ 2013年03月31日，工学研究科 附属原子分子イオン制御理工学センター，准教授，専任
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2013年04月01日 ～ 2013年04月15日，工学研究科 附属アトミックデザイン研究センター，准教授，専任
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2013年04月16日 ～ 継続中，工学研究科 附属アトミックデザイン研究センター，准教授，専任
学歴 【 表示 ／ 非表示 】
| 京都大学 理学部 卒業 | 理学士 | 1992年03月 |
| 京都大学 理学研究科 物理学第一専攻 修了 | 理学修士 | 1994年03月 |
| 京都大学 理学研究科 物理学・宇宙物理学専攻 単位取得満期退学 | 1997年03月 | |
| 京都大学 理学研究科 物理学・宇宙物理学専攻 修了 | 博士（理学） | 2000年01月 |
論文 【 表示 ／ 非表示 】
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Production of low-energy fragment-ion beams from hexamethyldisiloxane and the irradiation of SiO+ ion beam to substrates with supplemental oxygen gas for SiO2 film formation，S. Yoshimura, S. Sugimoto, T. Takeuchi, M. Kiuchi，Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B，Vol. 479, pp. 13-17，2020年09月，学術論文
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Characteristics of films deposited by the irradiation of GeCHx+ ions produced from hexamethyldigermane and their dependence on the injected ion energy，S. Yoshimura, S. Sugimoto, T. Takeuchi, K. Murai, M. Kiuchi，Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B，Vol. 461, pp. 1-5，2019年12月，学術論文
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Effects of injected ion energy on silicon carbide film formation by low-energy SiCH3+ beam irradiation，S. Yoshimura, S. Sugimoto, T. Takeuchi, K Murai, M. Kiuchi，Thin Solid Films，Vol. 685, pp. 408-413.，2019年09月，学術論文
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Low-energy mass-selected ion beam deposition of silicon carbide with Bernas-type ion source using methylsilane，S. Yoshimura, S. Sugimmoto, T. Takeuchi, K. Murai, M. Kiuchi，AIP Advances，Vol. 9, 095051，2019年09月，学術論文
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Identification of fragment ions produced from hexamethyldigermane and the production of low-energy beam of fragment ion possessing Ge-C bond，S. Yoshimura, S. Sugimoto, T. Takeuchi, M. Kiuchi，AIP Advances，Vol. 9, 025008 (2019)，2019年02月，学術論文
学外運営 【 表示 ／ 非表示 】
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学会，応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会，幹事，2006年04月 ～ 2008年03月
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学会，社団法人 高温学会，評議員，2005年05月 ～ 2007年05月