基本情報

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稲垣 耕司

INAGAKI Kouji


キーワード

計算物理,表面物性,精密加工学

URL

http://www.prec.eng.osaka-u.ac.jp

所属組織 【 表示 / 非表示

  • 1998年04月01日 ~ 2007年03月31日,工学研究科 精密科学・応用物理学専攻,助手,専任

  • 2007年04月01日 ~ 継続中,工学研究科 精密科学・応用物理学専攻,助教,専任

学歴 【 表示 / 非表示

大阪大学 工学部 精密工学科 卒業 1987年03月
大阪大学 工学研究科 精密工学専攻 修了 1989年03月

職歴 【 表示 / 非表示

味覚糖 (株) 1989年04月 ~ 継続中
大阪大学助手 1995年03月 ~ 継続中

研究内容・専門分野 【 表示 / 非表示

  • 第一原理分子動力学シミュレーションによる固体表面現象の解析, EEM(Elastic Emission Machining)の開発,光反射率スペクトルによる表面評価法の開発

所属学会 【 表示 / 非表示

  • 日本物理学会

  • 応用物理学会

  • 精密工学会

 

論文 【 表示 / 非表示

  • 水素終端Si2x1表面へのHeおよびHの衝突過程の第一原理計算,稲垣耕司、広瀬喜久治、安武潔,40, 1088-1091, (2008),2008年06月,学術論文

  • 大気圧プラズマCVDにおけるシリコンエピタキシャル成長低温化の第一原理シミュレーションによる解明─表面へのガス原子の作用─,稲垣耕司,掛谷悟史,広瀬喜久治,安武潔,2007年度関西地方定期学術講演会講演論文集,A06,2007年08月,会議報告/口頭発表

  • 水素終端Si表面上でのSiエピタキシャル成長初期過程のミクロカノニカル第一原理分子動力学計算による解析,稲垣耕司,広瀬喜久治,安武 潔,2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会,2p-CD-2,2008年09月,会議報告/口頭発表

  • 大気圧プラズマCVDによるSiエピタキシャル成膜過程の解明-表面拡散に影響をおよぼす表面温度の解析-,稲垣耕司,田代崇A,広瀬喜久治,安武潔,2008年03月,会議報告/口頭発表

  • 水素終端化Si(001)面と(111)面の反射率差スペクトルの第一原理計算による解析,稲垣耕司,遠藤勝義,広瀬喜久治,日本物理学会第62回年次大会,22pPSA-20,2007年10月,会議報告/口頭発表

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特許・実用新案・意匠 【 表示 / 非表示

  • 日本,超精密形状測定方法,遠藤勝義、稲垣耕司,特願2008-169911(出願),2008年06月

  • 日本,位相ロックイン型高周波走査トンネル顕微鏡,遠藤勝義,特願2006-061421(登録),2006年03月

受賞 【 表示 / 非表示

  • 精密工学会賞,山内和人,杉山和久,稲垣耕司,山村和也,佐野泰久,森 勇藏,精密工学会,2001年03月

  • 精密工学会沼田記念論文賞,片岡俊彦, 遠藤勝義, 井上晴行, 稲垣耕司, 森 勇藏, 広瀬喜久治, 高田和政,精密工学会,1995年03月