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AYELE KIDIST MOGES

AYELE KIDIST MOGES


所属組織 【 表示 / 非表示

  • 2016年11月01日 ~ 継続中,工学研究科 生命先端工学専攻,特任助教(常勤),専任

 

論文 【 表示 / 非表示

  • Sub-nm-Scale Depth Profiling of Nitrogen in NO- and N2-Annealed SiO2/4H-SiC(0001) Structures,Kidist Moges, Mitsuru Sometani, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Shinsuke Harada, Heiji Watanabe,Materials Science Forum,Vol. 963, pp 226-229,2019年07月,学術論文

  • Recent progress in understanding carbon-related interface defects and electrical properties in SiC-MOS devices,T. Hosoi, K. Moges, T. Shimura, H. Watanabe,INFOS 2019,2019年07月,国際会議(proceedingsあり)

  • NO窒化処理を施したSiO2/SiC界面近傍の窒素分布評価,細井卓治, Kidist Moges, 染谷 満, 志村考功, 原田信介, 渡部平司,信学技報, vol. 119, no. 96,2019年06月,会議報告/口頭発表

  • Performance improvement in 4H-SiC(0001) p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with a gate oxide grown at ultrahigh temperature,Kidist Moges, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, and Heiji Watanabe,Applied Physics Express,Volume 12, Number 6,2019年05月,学術論文

  • NO窒化処理を施したSiO2/SiC界面における窒素原子分布の高精度評価,Kidist Moges,染谷満,細井卓治,志村考功,原田信介,渡部平司,先進パワー半導体分科会 第5回講演会,2018年11月,会議報告/口頭発表

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