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AYELE KIDIST MOGES

AYELE KIDIST MOGES


所属組織 【 表示 / 非表示

  • 2016年11月01日 ~ 継続中,工学研究科 生命先端工学専攻,特任助教(常勤),専任

 

論文 【 表示 / 非表示

  • NO窒化処理を施したSiO2/SiC界面における窒素原子分布の高精度評価,Kidist Moges,染谷満,細井卓治,志村考功,原田信介,渡部平司,先進パワー半導体分科会 第5回講演会,2018年11月,会議報告/口頭発表

  • Gate Stack Technology for Advanced GaN and SiC based MOS Devices,H. Watanabe, T. Yamada, M. Nozaki, K. Moges, T. Hosoi, and T. Shimura,ACSIN-14,2018年10月,国際会議(proceedingsあり)

  • Sub-nm-scale depth profiling of nitrogen in NO- and N2-annealed SiO2/4H-SiC(0001) structures,K. Moges, M. Sometani, T. Hosoi, T. Shimura, S. Harada, H. Watanabe,ECSCRM 2018,2018年09月,国際会議(proceedingsあり)

  • Sub-nanometer-scale depth profiling of nitrogen atoms in SiO2/4H-SiC structures treated with NO annealing,Kidist Moges, Mitsuru Sometani, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Shinsuke Harada, Heiji Watanabe,Applied Physics Express,Volume 11, Number 10,2018年09月,学術論文

  • Passive–active oxidation boundary for thermal oxidation of 4H-SiC(0001) surface in O2/Ar gas mixture and its impact on SiO2/SiC interface quality,Takuji Hosoi, Yoshihito Katsu, Kidist Moges, Daisuke Nagai, Mitsuru Sometani, Hidenori Tsuji, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe,Applied Physics Express,Volume 11, Number 9,2018年08月,学術論文

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