基本情報

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今西 正幸

IMANISHI Masayuki


キーワード

電気材料工学

メールアドレス

メールアドレス

電話番号

06-6879-7706

FAX番号

06-6879-7708

性別

男性

所属組織 【 表示 / 非表示

  • 2013年04月01日 ~ 2016年03月28日,工学研究科 電気電子情報工学専攻,大学院生(博士後期課程),専任

  • 2016年04月01日 ~ 2016年08月31日,工学研究科 電気電子情報工学専攻,特任研究員(常勤),専任

  • 2016年09月01日 ~ 継続中,工学研究科 附属アトミックデザイン研究センター,助教,専任

 

論文 【 表示 / 非表示

  • Increase in the growth rate of GaN crystals by using gaseous methane in the Na flux method,K. Murakami, S. Ogawa, M. Imanishi, M. Imade, M. Maruyama, M. Yoshimura and Y. Mori,Japanese Journal of Applied Physics,Vol.56, pp.055502-1 - 055502-4,2017年04月,学術論文

  • Effect of flux composition ratio on the coalescence growth of GaN crystals by the Na-flux method,M. Honjo, M. Imanishi, H. Imabayashi, K. Nakamura, K. Murakami, D. Matsuo, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura, and Y.e Mori,Optical Materials,Vol.65, pp.38-41,2017年03月,学術論文

  • Development of GaN substrate with a large diameter and small orientation deviation,T. Yoshida, M. Imanishi, T. Kitamura, K. Otaka, M. Imade, M. Shibata, and Y. Mori,Physica Status Solidi B,Vol.254, No.3, pp.1600671/1-4,2017年03月,学術論文

  • Habit control during growth on GaN point seed crystals by Na-flux method,M. Honjo, M. Imanishi, H. Imabayashi, K. Nakamura, K. Murakami, D. Matsuo, M. Maruyama, M. Imade, M. Yoshimura and Y. Mori,Japanese Journal of Applied Physics,Vol.56, No.1S, pp. 01AD01-1-4,2017年01月,学術論文

  • Control of GaN crystal habit by solution stirring in the Na-flux method,K. Murakami, M. Imade, M. Imanishi, M. Honjo, H. Imabayashi, D. Matsuo, K. Nakamura, M. Maruyama, M. Yoshimura, and Y. Mori,apanese Journal of Applied Physics,Vol.56, No.1, pp. 01AD05-1-4,2017年01月,学術論文

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