基本情報

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今西 正幸

IMANISHI Masayuki


キーワード

電気材料工学

メールアドレス

メールアドレス

電話番号

06-6879-7706

FAX番号

06-6879-7708

性別

男性

所属組織 【 表示 / 非表示

  • 2013年04月01日 ~ 2016年03月28日,工学研究科 電気電子情報工学専攻,大学院生(博士後期課程),専任

  • 2016年04月01日 ~ 2016年08月31日,工学研究科 電気電子情報工学専攻,特任研究員(常勤),専任

  • 2016年09月01日 ~ 継続中,工学研究科 附属アトミックデザイン研究センター,助教,専任

 

論文 【 表示 / 非表示

  • Vacancy-type defects in bulk GaN grown by the Na-flux method probed using positron annihilation,A. Uedono, M. Imanishi, M. Imade, M.Yoshimura, S. Ishibashi, M. Sumiya and Y. Mori,Journal of Crystal Growth,Vol.475, pp.261-265,2017年10月,学術論文

  • Control of dislocation morphology and lattice distortion in Na-flux GaN crystals,1. Shotaro Takeuchi, Y. Mizuta, Msayuki Imanishi, Mamoru Imade, Yusuke Mori, K. Sumitani, Y. Imai, S. Kimura, and A. Sakai,Journal of Applied Physics,Vol.122, pp.105303 -1-6 ,2017年09月,学術論文

  • Enhancement of lateral growth of the GaN crystal with extremely low dislocation density during,M. Hayashi, M. Imanishi, T. Yamada, D. Matsuo, K. Murakami, M. Maruyama, M. Imade, ,Journal of Crystal Growth,Vol.468, pp.827-830,2017年06月,学術論文

  • Homoepitaxial HVPE growth on GaN wafers manufactured by the Na-flux method,M. Imanishi, T. Yoshida, T. Kitamura, K. Murakami, M. Imade, M. Yoshimura, M. Shibata, Y. Tsusaka, J. Matsui, and Y. Mori,Crystal Growth & Design,Vol.17, No.7, pp3806-3811,2017年06月,学術論文

  • Increase in the growth rate of GaN crystals by using gaseous methane in the Na flux method,K. Murakami, S. Ogawa, M. Imanishi, M. Imade, M. Maruyama, M. Yoshimura and Y. Mori,Japanese Journal of Applied Physics,Vol.56, pp.055502-1 - 055502-4,2017年04月,学術論文

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受賞 【 表示 / 非表示

  • 菅田-Cohen賞(博士),今西正幸,大阪大学,2016年03月

  • 第4回(2014年秋季) 応用物理学会 Poster Award,今西正幸、村上航介、今林弘毅、丸山美帆子、今出完、吉村政志、森勇介,公益社団法人応用物理学会,2014年09月