基本情報

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今西 正幸

IMANISHI Masayuki


キーワード

電気材料工学

メールアドレス

メールアドレス

電話番号

06-6879-7706

FAX番号

06-6879-7708

性別

男性

所属組織 【 表示 / 非表示

  • 2013年04月01日 ~ 2016年03月28日,工学研究科 電気電子情報工学専攻,大学院生(博士後期課程),専任

  • 2016年04月01日 ~ 2016年08月31日,工学研究科 電気電子情報工学専攻,特任研究員(常勤),専任

  • 2016年09月01日 ~ 2018年03月31日,工学研究科 附属アトミックデザイン研究センター,助教,専任

  • 2018年04月01日 ~ 継続中,工学研究科 電気電子情報工学専攻,助教,専任

 

論文 【 表示 / 非表示

  • Quantitative analysis of lattice plane microstructure in the growth direction of a modified Na-flux GaN crystal using nanobeam X-ray diffraction,Kazuki Shida, Nozomi Yamamoto, Tetsuya Tohei, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Kazushi Sumitani, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura and Akira Sakai,Japanese Journal of Applied Physics,Vol.58, No.SC, pp.SCCB16-1/6,2019年06月,学術論文

  • Effect of methane additive on GaN growth using the OVPE method,Akira Kitamoto, Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Masahiro Kamiyama, Shintaro Tsuno, Keiju Ishibashi, Yoshikazu Gunji, Masayuki Imanishi, Yoshio Okayama, Masaki Nobuoka, Masashi Isemura, Masashi Yoshimura and Yusuke Mori,Japanese Journal of Applied Physics,Vol.58, No.SC, pp.SC1021-1/5,2019年05月,学術論文

  • Identification of dislocation characteristics in Na-flux-grown GaN substrates using bright-field X-ray topography under multiple-diffraction conditions , Y. Tsusaka, H. Mizuochi, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, and J. Matsui,Journal of Applied Physics,Vol.125, pp.125105-1/7,2019年03月,学術論文

  • Promotion of lateral growth of GaN crystals on point seeds by extraction of substrates from melt in the Na-flux method,Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Takumi Yamada, Keisuke Kakinouchi, Kosuke Nakamura, Tomoko Kitamura, Kanako Okumura, Masashi Yoshimura, and Yusuke Mori,Applied Physics Express,Vol.12、pp.045508-1/5,2019年03月,学術論文

  • Naフラックス法による高品質バルクGaN結晶育成,今西正幸, 森勇介,CERAMICS JAPAN,Vol.53, No.12, p.846-848,2018年12月,解説・総説

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特許・実用新案・意匠 【 表示 / 非表示

  • 日本,III-V族化合物結晶の製造方法および半導体装置の製造方法,森勇介、吉村政志、今出完、今西正幸、森數,洋司、田畑晋、諸徳,寺匠,2019-055901 (公開),2017年09月

  • 日本,III族窒化物結晶の製造方法、半導体装置およびIII族窒化物結晶製造装置,森 勇介, 吉村 政志, 今出 完, 今西 正幸, 北本 啓, 伊勢村 雅士,特開2018-058718(公開),2016年10月

  • 日本,窒化物結晶基板の製造方法および結晶成長用基板,森 勇介, 吉村 政志, 今出 完, 今西 正幸, 柴田 真佐知, 吉田 丈洋,特開2017-200858(公開),2016年05月

  • 日本,III族窒化物結晶の製造方法、III族窒化物結晶および半導体装置, 竹内 正太郎, 酒井 朗, 浅津 宏伝, 森 勇介, 今出 完, 吉村 政志, 平尾 美帆子, 今西 正幸,特開2016-150871(公開),2015年02月

  • 日本、中国、EPO、韓国、米国、WIPO,III族窒化物結晶および半導体装置の製造方法,森 勇介, 今出 完, 吉村 政志, 平尾 美帆子, 今西 正幸,特許第5904421号(登録),2013年01月,2016年03月

受賞 【 表示 / 非表示

  • 第17回 FFIT研究奨励賞,今西正幸,公益財団法人船井情報科学振興財団 ,2018年04月

  • 菅田-Cohen賞(博士),今西正幸,大阪大学,2016年03月

  • 第4回(2014年秋季) 応用物理学会 Poster Award,今西正幸、村上航介、今林弘毅、丸山美帆子、今出完、吉村政志、森勇介,公益社団法人応用物理学会,2014年09月

  • 第4回ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 発表奨励賞,今西正幸,日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会,2012年04月

  • 第13回キャンパスベンチャーグランプリ大阪 佳作,原田陽司、染野辰也、今西正幸、伊賀仁志,日刊工業新聞社,2012年01月

 

会議運営 【 表示 / 非表示

  • その他,第23回結晶工学セミナー,主幹事,2018年12月

  • 国際会議,第37回電子材料シンポジウム,会場委員,2018年10月

学外運営 【 表示 / 非表示

  • 学会,応用物理学会結晶工学分科会,幹事(編集・企画),2018年04月 ~ 継続中