基本情報

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塩谷 広樹

Shioya Hiroki


所属組織 【 表示 / 非表示

  • 2015年04月01日 ~ 2015年05月31日,産業科学研究所,特任研究員,専任

  • 2015年06月01日 ~ 継続中,ナノサイエンスデザイン教育研究センター,特任助教(常勤),専任

所属学会 【 表示 / 非表示

  • 応用物理学会

  • 日本物理学会

 

論文 【 表示 / 非表示

  • レーザー照射による2層WSe2の最表層選択的酸化,塩谷 広樹,塚越 一仁,上野 啓司,大岩 顕,2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会(名古屋国際会議場),2018年09月,会議報告/口頭発表

  • Raising the metal-insulator transition temperature of VO2 thin films by surface adsorption of organic polar molecules,塩谷 広樹、庄子 良晃、清木 規矢、中野 匡規、福島 孝典、岩佐 義宏,第77回 応用物理学会秋季学術講演会,2016年09月,会議報告/口頭発表

  • 有機極性分子の表面吸着によるVO2薄膜の金属-絶縁体相転移制御,塩谷 広樹、庄子 良晃、清木 規矢、中野 匡規、福島 孝典、岩佐 義宏,第63回応用物理学会春季学術講演会,2016年03月,会議報告/口頭発表

  • Electron states of uniaxially strained graphene,H. Shioya, Saverio Russo, Michihisa Yamamoto, Monica F. Craciun, Seigo Tarucha,NanoLetters,15, 7943,2015年11月,学術論文

  • Raising the metal-insulator transition temperature of VO2 thin films by surface adsorption of organic polar molecules,H. Shioya, Yoshiaki Shoji, Noriya Seiki, Masaki Nakano, Takanori Fukushima, and Yoshihiro Iwasa,Appl. Phys. Express,8, 121101,2015年11月,学術論文

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特許・実用新案・意匠 【 表示 / 非表示

  • 日本,半導体装置およびその製造方法,塩谷広樹,2009-245979(公開),2008年03月

  • 日本,カーボン配線構造およびその製造方法,塩谷広樹, 二瓶瑞久,2008041954(公開),2006年08月

  • 日本,カーボンナノ細線トランジスタの製造方法,塩谷広樹, 岩井大介, 粟野祐二,4864358(登録),2005年06月,2011年11月

  • 日本,炭化珪素材料を加工する方法,塩谷 広樹, 二瓶 瑞久, 粟野 祐二, 楠 美智子, 鈴木 敏之, 本庄 千鶴, 堀部 雅弘,特開2006-21986(P2006-21986A)(公開),2005年03月

受賞 【 表示 / 非表示

  • 応用物理学会優秀論文賞,塩谷広樹,庄子良晃,清木規矢,中野匡規,福島孝典,岩佐義宏,応用物理学会,2016年08月